爱思开海力士有限公司李建泳获国家专利权
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龙图腾网获悉爱思开海力士有限公司申请的专利半导体器件及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113497187B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-08发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010782784.3，技术领域涉及：H10N97/00；该发明授权半导体器件及其制造方法是由李建泳;金藇炫设计研发完成，并于2020-08-06向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体器件及其制造方法在说明书摘要公布了：一种用于制造半导体器件的方法，包括：在衬底上方形成包括模具层和支撑体层的模具堆叠层；通过刻蚀所述模具堆叠层形成开口；在位于所述开口中的所述支撑体层的暴露表面上选择性地形成支撑体加强层；在形成有所述支撑体加强层的所述开口中形成底电极；通过刻蚀所述支撑体层的一部分形成支撑体开口，以形成支撑所述底电极的外壁的支撑体。
本发明授权半导体器件及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种制造半导体器件的方法，包括： 在衬底上形成包括模具层和支撑体层的模具堆叠层； 通过刻蚀所述模具堆叠层形成开口； 在位于所述开口中的所述支撑体层的暴露表面上选择性地生长支撑体加强层； 在形成有所述支撑体加强层的所述开口中形成底电极；以及 通过刻蚀所述支撑体层的一部分来形成支撑体开口，以形成支撑所述底电极的外壁的支撑体， 其中，所述支撑体层包括含氮材料，且所述支撑体加强层包括在所述支撑体层的暴露表面上选择性地生长的含氮材料。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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