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龙图腾网获悉中国电子科技集团公司第二十四研究所申请的专利E/D NMOS基准电压源及低压差电压调整器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113126683B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-08发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201911388315.7，技术领域涉及：G05F1/56；该发明授权E/D NMOS基准电压源及低压差电压调整器是由胡永贵设计研发完成，并于2019-12-30向国家知识产权局提交的专利申请。

本E/D NMOS基准电压源及低压差电压调整器在说明书摘要公布了：本发明提供一种EDNMOS基准电压源及低压差电压调整器，在所述EDNMOS基准电压源中，无论外加的电源电压如何变化，通过基于N沟道结型场效应管的预基准源电路能将预基准输出电压稳定为固定值，预基准输出电压的范围宽、工艺调整方便；由于预基准源电路的承受耐压和初步稳压，使得EDNMOS基准源电路的输入电压受电源电压的变化很小，大大提高了EDNMOS基准源电路的宽输入电压范围、电源抑制比并同时具有EDNMOS基准微功耗的性质；且该EDNMOS基准电压源的电路结构简单合理，不需要三极管、电阻、电容等，其制作工艺仅在硅栅P阱EDCMOS工艺的基础上，增加了N沟道结型场效应管的制作，工艺上只需调整N沟道结型场效应管的阈值电压，大大简化了工艺，降低了成本。

本发明授权E/D NMOS基准电压源及低压差电压调整器在权利要求书中公布了：1.一种EDNMOS基准电压源，其特征在于，包括： 预基准源电路，包括N沟道结型场效应管，所述N沟道结型场效应管的栅极接地、漏极接电源电压、源极输出预基准电压； EDNMOS基准源电路，与所述预基准源电路连接，接收所述预基准电压并对外输出基准电压； 所述EDNMOS基准源电路包括：基准电压启动子电路，与所述预基准源电路连接，接收所述预基准电压并对外输出所述基准电压；基准电压调节子电路，与所述基准电压启动子电路，对所述基准电压进行调节； 所述基准电压启动子电路包括多个串联的NMOS管，所述基准电压调节子电路包括多个串联的NMOS管； 所述基准电压启动子电路包括：第一NMOS管、第二NMOS管、第三NMOS管及第四NMOS管；所述第一NMOS管的漏极接所述N沟道结型场效应管的源极，所述第二NMOS管的漏极接所述第一NMOS管的源极，所述第三NMOS管的漏极接所述第二NMOS管的源极，所述第四NMOS管的漏极接所述第三NMOS管的源极，所述第四NMOS管的源极作为基准电压输出端；所述第一NMOS管、第二NMOS管、第三NMOS管及第四NMOS管的栅极接在一起，并接所述基准电压输出端；所述第一NMOS管、第二NMOS管、第三NMOS管及第四NMOS管的衬底接在一起，并接所述基准电压输出端； 所述基准电压启动子电路包括：第五NMOS管、第六NMOS管、第七NMOS管及第八NMOS管；所述第五NMOS管的漏极接所述基准电压输出端，所述第六NMOS管的漏极接所述第五NMOS管的源极，所述第七NMOS管的漏极接所述第六NMOS管的源极，所述第八NMOS管的漏极接所述第七NMOS管的源极，所述第八NMOS管的源极接地；所述第五NMOS管、第六NMOS管、第七NMOS管及第八NMOS管的栅极接在一起，并接所述基准电压输出端；所述第五NMOS管、第六NMOS管、第七NMOS管及第八NMOS管的衬底接在一起，并接地。

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