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龙图腾网获悉华为技术有限公司申请的专利一种芯片堆叠结构及其制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114762103B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-08发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201980102829.3，技术领域涉及：H01L23/48；该发明授权一种芯片堆叠结构及其制作方法是由张晓东;李珩;王思敏;戚晓芸;王正波;牛瑞设计研发完成，并于2019-12-16向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种芯片堆叠结构及其制作方法在说明书摘要公布了：一种芯片堆叠结构及其制作方法，其中，该芯片堆叠结构包括第一晶圆100和第二晶圆200，第一晶圆100的第一再布线层130设置有裸露的第一键合盘133，第一晶圆100的第一再布线层130和第一键合盘133与第二晶圆200的无源面220直接键合连接，不需要在键合表面制备额外的介电层，减小了第一晶圆100和第二晶圆200堆叠之后的厚度，使芯片封装后的尺寸更小，更轻薄。并且，第一晶圆100和第二晶圆200直接堆叠后的热阻更小，提高了芯片的散热性能。另外，第二晶圆200还设置有与第一键合盘133连接的硅通孔233，使得第一晶圆100和第二晶圆200可以通过硅通孔233直接电气互连，连接可靠性高。所提供的用于制作上述芯片堆叠结构的方法，工艺步骤简单，并且不会存在刻蚀选择比的问题，可实现性大大提高。

本发明授权一种芯片堆叠结构及其制作方法在权利要求书中公布了：1.一种芯片堆叠结构，其特征在于，包括： 第一晶圆，所述第一晶圆的有源面设置有第一再布线层； 多个第一键合盘，所述多个第一键合盘裸露于所述第一再布线层的平行于所述第一晶圆的表面，所述多个第一键合盘与所述第一再布线层的金属布线电连接； 第二晶圆，所述第二晶圆与所述第一晶圆堆叠设置，所述第二晶圆的无源面与所述第一再布线层和所述多个第一键合盘键合连接；所述第二晶圆设置有多个硅通孔，每个所述硅通孔的位于所述第二晶圆的无源面的第一端与所述多个第一键合盘中的至少一个连接； 多个第二键合盘，所述多个第二键合盘裸露于所述第一再布线层的平行于所述第一晶圆的表面，所述多个第二键合盘与所述第二晶圆的无源面键合连接，所述多个第二键合盘与所述第一再布线层的金属布线电连接； 所述第二晶圆的无源面设置有第一介电层，所述第二晶圆的无源面通过所述第一介电层与所述第一再布线层、所述多个第一键合盘和所述多个第二键合盘键合连接。

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