中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司周鸣获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网获悉中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司申请的专利半导体结构及其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112993151B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-08发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201911215888.X，技术领域涉及：H10N50/01；该发明授权半导体结构及其形成方法是由周鸣设计研发完成，并于2019-12-02向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构及其形成方法在说明书摘要公布了：一种半导体结构及其形成方法，形成方法包括：提供基底；在所述基底上形成底部铁磁结构；在所述底部铁磁结构上形成缓冲材料层和非磁绝缘层；在所述非磁绝缘层上形成顶部铁磁结构。本发明实施例所提供的半导体结构的形成方法中，底部铁磁结构和顶部铁磁结构的材料通常均包括FeCoB，缓冲材料层能够阻挡底部铁磁结构中的B离子扩散至非磁绝缘层中，缓冲材料层能够阻挡顶部铁磁结构中的B离子扩散至非磁绝缘层中，非磁绝缘层不易受到B离子的影响，具有较高的磁阻比，后续对底部铁磁结构、缓冲材料层、非磁绝缘层和顶部铁磁结构图形化后形成多个磁隧道结单元，使得磁隧道结单元的隧道磁阻效应较强。
本发明授权半导体结构及其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括： 提供基底； 在所述基底上形成底部铁磁结构，所述底部铁磁结构包括反铁磁层和位于所述反铁磁层上的被钉扎层；所述被钉扎层的材料包括FeCoB； 在所述底部铁磁结构上形成缓冲材料层和非磁绝缘层； 在所述非磁绝缘层上形成顶部铁磁结构，所述顶部铁磁结构包括第一自由层和位于所述第一自由层上的第二自由层；所述第一自由层的材料包括FeCoB； 形成所述缓冲材料层和非磁绝缘层的步骤包括：形成缓冲材料层； 在所述缓冲材料层上形成非磁绝缘层；或者，形成非磁绝缘层；形成所述非磁绝缘层后，形成缓冲材料层；或者，形成所述缓冲材料层和非磁绝缘层的步骤包括：形成缓冲材料层；在所述缓冲材料层上形成非磁绝缘层；形成所述非磁绝缘层后，形成所述顶部铁磁结构前，在所述非磁绝缘层上再形成缓冲材料层； 所述缓冲材料层的材料包括BN，BN为菱方晶格或立方晶格结构，使得所述缓冲材料层能够阻挡B离子穿过。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司，其通讯地址为：201203 上海市浦东新区中国（上海）自由贸易试验区张江路18号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号