台湾积体电路制造股份有限公司黄如立获国家专利权
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龙图腾网获悉台湾积体电路制造股份有限公司申请的专利鳍状场效晶体管装置获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN110783404B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-08发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:201910375551.9,技术领域涉及:H10D30/62;该发明授权鳍状场效晶体管装置是由黄如立;江欣哲;潘育麒;杨峻铭;梁春升;庄英良;叶明熙设计研发完成,并于2019-05-07向国家知识产权局提交的专利申请。
本鳍状场效晶体管装置在说明书摘要公布了:本发明实施例说明鳍状场效晶体管装置的结构与形成方法。鳍状场效晶体管装置包括:基板;鳍状物,位于基板上;以及栅极结构,位于鳍状物上。栅极结构包括功函数金属层,位于栅极结构的内侧侧壁上。功函数金属层的最顶侧表面低于栅极结构的上表面。栅极结构亦包括充填栅极金属层,位于功函数金属层的最顶侧表面上。充填栅极金属层的上表面与栅极结构的上表面实质上共平面。栅极结构亦包括自组装单层,位于充填栅极金属层与功函数金属层之间。
本发明授权鳍状场效晶体管装置在权利要求书中公布了:1.一种半导体结构的形成方法,包括: 提供一基板,且该基板包括具有一功函数金属层与一阻障金属层的一栅极结构,且该功函数金属层与一阻障金属层实质上齐平; 移除该功函数金属层的顶部,以形成该功函数金属层的下侧部,且该功函数金属层的下侧部的第一上表面低于该阻障金属层的第二上表面; 形成一自组装单层于该功函数金属层的下侧部的第一上表面上;以及 沉积一充填栅极金属层于该自组装单层上。
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