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株式会社半导体能源研究所渡边一德获国家专利权

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龙图腾网获悉株式会社半导体能源研究所申请的专利显示装置及电子设备获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN111448608B

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-08发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:201880079292.9,技术领域涉及:G09G3/20;该发明授权显示装置及电子设备是由渡边一德;高桥圭;川岛进;丰高耕平;楠纮慈设计研发完成,并于2018-12-19向国家知识产权局提交的专利申请。

显示装置及电子设备在说明书摘要公布了:提供一种能够提高图像品质的显示装置。本发明的一个方式包括第一像素电路、第二像素电路,各像素电路中设置有存储节点,可以在该存储节点中保持第一信号。第一信号由电容耦合附加到第二信号,可以供应给显示元件。因此,可以在显示装置中显示被校正的图像。此外,通过第一像素电路及第二像素电路共同使用信号线,可以提高像素的开口率。

本发明授权显示装置及电子设备在权利要求书中公布了:1.一种显示装置,包括: 第一像素电路; 第二像素电路; 第一布线; 第二布线; 第三布线; 第四布线; 第五布线; 第六布线;以及 第七布线, 其中,所述第一像素电路包括第一晶体管、第二晶体管、第一电容器、第一电路区块, 所述第二像素电路包括第三晶体管、第四晶体管、第二电容器、第二电路区块, 所述第一晶体管的源极和漏极中的一个与所述第一电容器的一个电极电连接, 所述第一电容器的另一个电极与所述第二晶体管的源极和漏极中的一个电连接, 所述第二晶体管的源极和漏极中的一个与所述第一电路区块电连接, 所述第三晶体管的源极和漏极中的一个与所述第二电容器的一个电极电连接, 所述第二电容器的另一个电极与所述第四晶体管的源极和漏极中的一个电连接, 所述第四晶体管的源极和漏极中的一个与所述第二电路区块电连接, 所述第二晶体管的栅极及所述第四晶体管的栅极与所述第一布线电连接, 所述第一晶体管的栅极与所述第二布线电连接, 所述第三晶体管的栅极与所述第三布线电连接, 所述第二晶体管的源极和漏极中的另一个与所述第四布线电连接, 所述第一晶体管的源极和漏极中的另一个及所述第三晶体管的源极和漏极中的另一个与所述第五布线电连接, 所述第四晶体管的源极和漏极中的另一个与所述第六布线电连接, 所述第一电路区块包括第三电容器和第一显示元件, 所述第二电路区块包括第四电容器和第二显示元件, 所述第一显示元件的一个电极与所述第三电容器的一个电极电连接, 所述第三电容器的一个电极与所述第一电容器的另一个电极电连接, 所述第二显示元件的一个电极与所述第四电容器的一个电极电连接, 所述第四电容器的一个电极与所述第二电容器的另一个电极电连接, 并且,所述第三电容器的另一个电极及所述第四电容器的另一个电极与所述第七布线电连接。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术,可联系本专利的申请人或专利权人株式会社半导体能源研究所,其通讯地址为:日本神奈川县;或者联系龙图腾网官方客服,联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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