台湾积体电路制造股份有限公司王朝勳获国家专利权
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龙图腾网获悉台湾积体电路制造股份有限公司申请的专利多个接触插塞的制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112289741B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-08发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011272946.5，技术领域涉及：H01L21/768；该发明授权多个接触插塞的制造方法是由王朝勳;杨復凱;王美匀;赵高毅设计研发完成，并于2017-06-14向国家知识产权局提交的专利申请。
本多个接触插塞的制造方法在说明书摘要公布了：一种多个接触插塞的制造方法。多个接触插塞的制造方法包括形成晶体管，其包含形成源极漏极区于虚拟栅极堆叠的一侧，形成第一层间介电层覆盖源极漏极区，以及以取代栅极堆叠取代虚拟栅极堆叠。方法包括形成第二层间介电层于第一层间介电层以及取代栅极堆叠上方，以及形成电性耦合至源极漏极区的下源极漏极接触插塞。第三层间介电层形成于第二层间介电层上方。栅极接触插塞形成于第二层间介电层和第三层间介电层中。上源极漏极接触插塞被形成以重叠并接触下源极漏极接触插塞。上源极漏极接触插塞和栅极接触插塞是由不同材料所形成。
本发明授权多个接触插塞的制造方法在权利要求书中公布了：1.一种多个接触插塞的制造方法，其特征在于，包含： 形成包含一栅极堆叠及位于该栅极堆叠的一侧的一源极漏极区的一晶体管，其中该栅极堆叠位于一第一层间介电层中； 形成一下源极漏极接触插塞，其中该下源极漏极接触插塞电性耦合至该源极漏极区； 形成一栅极接触插塞于该栅极堆叠上方，并接触该栅极堆叠； 形成一上源极漏极接触插塞，其中该上源极漏极接触插塞重叠并接触该下源极漏极接触插塞，该栅极接触插塞的一深宽比大于该上源极漏极接触插塞的一深宽比，且该栅极接触插塞具有高于该上源极漏极接触插塞的一电阻率，其中该上源极漏极接触插塞的宽度大于该下源极漏极接触插塞的宽度并且大于该栅极接触插塞的宽度；以及 形成一蚀刻停止层于该上源极漏极接触插塞和该栅极接触插塞上方，其中该蚀刻停止层接触该上源极漏极接触插塞和该栅极接触插塞。
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