株式会社半导体能源研究所岩城裕司获国家专利权
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龙图腾网获悉株式会社半导体能源研究所申请的专利信息处理器、方法以及存储部获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN112015362B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-08发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202010938999.X,技术领域涉及:G06F3/14;该发明授权信息处理器、方法以及存储部是由岩城裕司;柳川胜喜设计研发完成,并于2014-05-26向国家知识产权局提交的专利申请。
本信息处理器、方法以及存储部在说明书摘要公布了:本发明提供一种可弯曲且可携带性高的新颖的信息处理器、方法以及存储部。另外,提供一种能够在无缝拼接的大屏幕上显示信息等的新颖的信息处理器。提供一种可以在弯曲位置将一个显示区域分割成两个区域的新颖的信息处理器。提供一种能够在各个区域显示不同的图像或者不同目的的图像的新颖的信息处理器。本发明人构想出包括如下步骤的程序,即,当使信息处理器的显示部弯曲时分割显示区域并在各个区域显示图像数据的步骤。
本发明授权信息处理器、方法以及存储部在权利要求书中公布了:1.一种信息处理器,包括: 输入输出装置,包括可弯曲触摸屏,所述可弯曲触摸屏包括: 弯曲构件,该弯曲构件包括多个铰链构件; 显示部,该显示部包括第一区域、第二区域和第三区域;以及 触摸传感器,该触摸传感器与所述显示部重叠;以及 运算装置,该运算装置将图像数据供应给所述输入输出装置, 其中,所述信息处理器被配置为在所述显示部处于不弯曲状态时在所述第一区域、所述第二区域和所述第三区域中无缝地显示图像, 其中所述信息处理器包括: 包含聚酰亚胺的树脂层上的阻挡膜; 所述阻挡膜上的第一导电膜,所述第一导电膜被配置为用作第一晶体管的栅极; 所述第一导电膜上的第一绝缘膜,所述第一绝缘膜被配置为用作栅极绝缘膜; 所述第一绝缘膜上的半导体层,所述半导体层包括所述第一晶体管的沟道形成区域; 所述半导体层上并且与所述半导体层电连接的第二导电膜,所述第二导电膜被配置为用作所述第一晶体管的源极和漏极中的一个; 所述第二导电膜上的第二绝缘膜; 所述第二绝缘膜上的发光元件; 覆盖所述发光元件的第一电极的上表面和侧面的第三绝缘膜; 所述第三绝缘膜上的所述发光元件的第二电极;以及 所述触摸传感器上的包括偏振片的层, 其中,所述触摸传感器设置在所述发光元件的所述第二电极上,其中,所述可弯曲触摸屏由所述弯曲构件支撑, 其中,在弯曲状态下,所述第一区域和所述第二区域彼此重叠,所述第三区域设置在所述第一区域和所述第二区域之间,并且 其中,在所述弯曲状态下,所述第三区域被弯曲。
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