安徽大学祁杰获国家专利权
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龙图腾网获悉安徽大学申请的专利一种实现垂直交换偏置的无外场辅助全电流翻转的多层薄膜结构及其制备方法和应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119923188B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-11发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510404809.9，技术领域涉及：H10N50/20；该发明授权一种实现垂直交换偏置的无外场辅助全电流翻转的多层薄膜结构及其制备方法和应用是由祁杰;王守国;许家旺设计研发完成，并于2025-04-02向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种实现垂直交换偏置的无外场辅助全电流翻转的多层薄膜结构及其制备方法和应用在说明书摘要公布了：本发明公开了一种实现垂直交换偏置的无外场辅助全电流翻转的多层薄膜结构及其制备方法和应用，该多层薄膜结构从下至上依次包括重金属打底层、原子层级插层、铁磁层和反铁磁层，该多层薄膜结构通过分子束外延制备得到。本发明通过在反铁磁层中引入各向异性外延应变，实现了室温下显著的垂直交换偏置效应。同时各向异性外延应变诱导反铁磁层中产生了全域的未补偿磁矩，降低了垂直交换偏置翻转的能垒，并进一步通过自旋轨道矩效应实现了无外场下电流驱动的交换偏置翻转，克服了现有技术对外部磁场的依赖，显著提升了自旋电子器件的可集成性与应用潜力。这项技术为高效、高密度磁存储和逻辑器件的设计与开发奠定了基础。
本发明授权一种实现垂直交换偏置的无外场辅助全电流翻转的多层薄膜结构及其制备方法和应用在权利要求书中公布了：1.一种实现垂直交换偏置的无外场辅助全电流翻转的多层薄膜结构，其特征在于，包括： 重金属打底层；所述重金属打底层的材料为Pt； 原子层级插层，设于重金属打底层上，用于产生空间反演对称破缺，实现自旋轨道矩驱动的无场磁化翻转；所述原子层级插层的材料为Au或Cu；所述原子层级插层的厚度为0.1-0.3nm； 铁磁层，设于原子层级插层上，具备垂直磁各向异性；所述铁磁层的材料为Co； 反铁磁层，设于铁磁层上，用于形成反铁磁铁磁界面并引入垂直交换偏置效应，且具有各向异性外延应力；所述反铁磁层的材料为IrMn3。
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