合肥晶合集成电路股份有限公司王文智获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网获悉合肥晶合集成电路股份有限公司申请的专利一种高集成度的双层集成电路结构及制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119815908B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-11发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510274710.1，技术领域涉及：H10D84/03；该发明授权一种高集成度的双层集成电路结构及制备方法是由王文智;刘哲儒设计研发完成，并于2025-03-10向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种高集成度的双层集成电路结构及制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种高集成度的双层集成电路结构及制备方法，所述方法包括：第一晶圆包括上衬底和第一隔离层，第二晶圆包括下衬底和第二隔离层，将第一隔离层和第二隔离层键合在一起成为隔离层；形成贯穿上衬底和下衬底的第一通孔，并在第一通孔内、上衬底表面和下衬底表面形成隔离区；在上衬底和下衬底上形成器件；在第一通孔内的隔离区中形成第二通孔，并在所述第二通孔中形成导电层，用于串联位于上衬底与下衬底上的器件。本发明通过在键合的两片晶圆上形成上下对称的器件，利用贯穿的导电层将上下层的器件进行串联，能够节省部分制备工艺，缩短工艺流程，并且提高芯片的集成度。
本发明授权一种高集成度的双层集成电路结构及制备方法在权利要求书中公布了：1.一种高集成度的双层集成电路结构的制备方法，其特征在于：其步骤包括： 第一晶圆包括上衬底和第一隔离层，第二晶圆包括下衬底和第二隔离层，将第一隔离层和第二隔离层键合在一起成为隔离层； 形成贯穿上衬底和下衬底的第一通孔，并在第一通孔内、上衬底表面和下衬底表面形成隔离区； 在上衬底和下衬底上形成器件； 在第一通孔内的隔离区中形成第二通孔，并在第二通孔中形成导电层，用于串联位于上衬底与下衬底上的器件。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人合肥晶合集成电路股份有限公司，其通讯地址为：230012 安徽省合肥市新站区合肥综合保税区内西淝河路88号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号