晶芯成(北京)科技有限公司;合肥晶合集成电路股份有限公司宋富冉获国家专利权
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龙图腾网获悉晶芯成(北京)科技有限公司;合肥晶合集成电路股份有限公司申请的专利一种半导体器件及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119730245B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-11发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510236465.5，技术领域涉及：H10B41/30；该发明授权一种半导体器件及其制备方法是由宋富冉;周儒领;施平设计研发完成，并于2025-02-28向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种半导体器件及其制备方法在说明书摘要公布了：本申请公开了一种半导体器件及其制备方法，涉及半导体技术领域。半导体器件包括：半导体层；第一栅结构、第二栅结构以及第三栅结构，位于所述半导体层上；掺杂区，位于所述半导体层中；第一介质层和第二介质层，所述第一介质层至少位于所述第一栅结构的侧墙上，所述第二介质层至少位于所述第三栅结构上；以及侧墙接触层和电极层，所述侧墙接触层位于所述第一介质层上，所述电极层位于所述第二介质层上；其中，所述电极层、所述第二介质层以及所述第三栅结构构成电容结构，且所述电极层经由第三栅结构控制电极引出；所述第一介质层和所述第二介质层同时形成，所述侧墙接触层和所述电极层同时形成。
本发明授权一种半导体器件及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件，其特征在于，包括： 半导体层； 第一栅结构、第二栅结构以及第三栅结构，位于所述半导体层上； 掺杂区，位于所述半导体层中，所述半导体层、所述第二栅结构和所述第二栅结构两侧的掺杂区构成OTP结构的选择晶体管，所述半导体层、所述第三栅结构和所述第三栅结构两侧的掺杂区构成OTP结构的浮栅晶体管； 第一介质层和第二介质层，所述第一介质层至少位于所述第一栅结构的侧墙上，所述第二介质层至少位于所述第三栅结构上；以及 侧墙接触层和电极层，所述侧墙接触层位于所述第一介质层上，所述电极层位于所述第二介质层上； 其中，所述电极层、所述第二介质层以及所述第三栅结构构成电容结构，且所述电极层经由第三栅结构控制电极引出；所述第一介质层和所述第二介质层同时形成，所述侧墙接触层和所述电极层同时形成。
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