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龙图腾网获悉杭州电子科技大学申请的专利一种基于Halcon的晶圆套刻误差测量方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119620564B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-11发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510158539.8，技术领域涉及：G03F9/00；该发明授权一种基于Halcon的晶圆套刻误差测量方法是由李万清;郑至涵;唐莹;刘俊;张俊峰设计研发完成，并于2025-02-13向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种基于Halcon的晶圆套刻误差测量方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种基于Halcon的晶圆套刻误差测量方法，属于计算机图形学技术领域。该方法基于Halcon软件提供的算子功能，首先从晶圆图像中提取套刻误差标记不同区域的图像，并基于该图像生成对应的模版。对于套刻误差待测量的晶圆图像，利用套刻误差标记模版寻找对应的套刻误差标记区域，实现亚像素级别的套刻误差测量，从而计算不同层间的偏移量。本方法显著提高了测量精度和效率，能够适应多种复杂的芯片场景。通过分步的模版搜索，有效降低了测量过程中的误差干扰和计算成本。本方法在多种芯片环境下表现优异，对单张晶圆图像的测量时间小于一秒，提供了一种高效、可靠的套刻误差测量解决方案，具有广泛的工业应用前景。

本发明授权一种基于Halcon的晶圆套刻误差测量方法在权利要求书中公布了：1.一种基于Halcon的晶圆套刻误差测量方法，对晶圆图像中由内、外两个矩形标记组成的套刻误差标记进行特征提取，并测量套刻误差，其特征在于：具体包括以下步骤： 步骤1、使用矩形框1、2、3对晶圆图像中的一个套刻误差标记进行标注，其中矩形框2、3之间的区域仅包含内矩形标记的轮廓线，记为内矩形标记框区域；矩形框1、2之间的区域仅包含外矩形标记的轮廓线，记为外矩形标记框区域；记录各矩形框的位置信息； 步骤2、对于内、外矩形标记框区域的图像，利用Halcon软件的create_shape_model算子，创建内、外矩形标记框模板； 步骤3、对于需要进行套刻误差测量的晶圆图片，首先利用外矩形标记框模板，找到所有符合模版匹配的外矩形标记框，记录位置信息；然后利用内矩形标记框模板，在符合模版匹配的外矩形标记框图像范围内寻找符合模版匹配的内矩形标记框，记录位置信息，并丢弃内部不存在内矩形标记框的外矩形标记框； 步骤4、对经过步骤3后的内、外矩形标记框匹配结果，根据步骤1中定义的矩形框与匹配结果的相对位置关系，在需要进行套刻误差测量的晶圆图片上生成矩形框1′、2′、3′，对于矩形框2′、3′与矩形框1′、2′之间的区域进行高斯线段检测，得到内、外矩形标记预测结果，计算内、外矩形标记预测结果的中心坐标之间的偏移量，完成套刻误差测量。

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