合肥晶合集成电路股份有限公司李帅获国家专利权
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龙图腾网获悉合肥晶合集成电路股份有限公司申请的专利OLED微共振腔结构及其制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119630184B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-11发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510153902.7，技术领域涉及：H10K50/852；该发明授权OLED微共振腔结构及其制作方法是由李帅;葛成海;丁洲乐;谢荣源设计研发完成，并于2025-02-12向国家知识产权局提交的专利申请。
本OLED微共振腔结构及其制作方法在说明书摘要公布了：本发明公开了OLED微共振腔结构及其制作方法，其中方法包括步骤：提供基底；形成位于基底之上的绝缘层；在绝缘层之上通过刻槽、沉积金属的方式形成金属反射区，且其表面通过抛光形成抛光反射面；形成覆盖金属反射区的腔长调节层；在腔长调节层上方形成对应金属反射区的发光层，发光层发出的原始光经过腔长调节层后，与相应金属反射区的抛光反射面的反射光形成相长干涉。本发明巧妙借助大马士革工艺形成金属反射区，且通过抛光使反射面更平坦、更光滑，提高反射率，降低了功耗，提高了良率；且抛光反射面到发光层之间的距离决定了微共振腔的腔长，而通过抛光控制抛光反射面光滑且高度一致，就可以更易控制微共振腔的精确腔长。
本发明授权OLED微共振腔结构及其制作方法在权利要求书中公布了：1.一种OLED微共振腔结构的制作方法，其特征在于，包括： 提供基底； 形成位于基底之上的绝缘层； 在绝缘层之上通过刻槽、沉积金属的方式形成金属反射区，且金属反射区的表面通过抛光形成抛光反射面；以绝缘层为参照层，在绝缘层之上形成至少三个金属反射区，不同金属反射区的抛光反射面的高度不同；并在腔长调节层上方形成对应的第一发光层、第二发光层和第三发光层； 形成覆盖金属反射区的腔长调节层； 在腔长调节层上方形成对应金属反射区的发光层，发光层发出的原始光经过腔长调节层后，与相应金属反射区的抛光反射面的反射光形成相长干涉； 其中，抛光反射面到发光层之间的距离决定了微共振腔的腔长，通过抛光控制抛光反射面光滑且高度一致来控制微共振腔的精确腔长。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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