重庆云潼科技有限公司赵哲获国家专利权
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龙图腾网获悉重庆云潼科技有限公司申请的专利一种DBC陶瓷基板及功率半导体模块获国家实用新型专利权,本实用新型专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN223092888U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-11发布的实用新型授权公告中获悉:该实用新型的专利申请号/专利号为:202422302525.2,技术领域涉及:H01L23/498;该实用新型一种DBC陶瓷基板及功率半导体模块是由赵哲;廖光朝设计研发完成,并于2024-09-20向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种DBC陶瓷基板及功率半导体模块在说明书摘要公布了:本实用新型公开了一种DBC陶瓷基板及功率半导体模块,涉及功率半导体技术领域。该陶瓷基板包括:第一金属层、第二金属层和陶瓷层,所述陶瓷层位于所述第一金属层和所述第二金属层之间;所述第一金属层的边缘内均设置有订泡点;所述第二金属层包括功率区、功率引脚区和温度采样区,所述功率区、功率引脚区和温度采样区的边缘设置有倒角;所述功率区、功率引脚区和温度采样区的边缘内设置有订泡点。本实用新型能够减小功率芯片在DBC陶瓷基板上进行真空焊接过程中热应力带来的影响,以及在功率引脚进行超声键合时,避免DBC陶瓷基板的陶瓷层出现开裂的情况,消除应力,提高器件的可靠性和生产良率。
本实用新型一种DBC陶瓷基板及功率半导体模块在权利要求书中公布了:1.一种DBC陶瓷基板,其特征在于,包括:第一金属层1、第二金属层3和陶瓷层2,所述陶瓷层2位于所述第一金属层1和所述第二金属层3之间; 所述第一金属层1的边缘内均设置有订泡点11; 所述第二金属层3包括功率区31、功率引脚区32和温度采样区33,所述功率区31、功率引脚区32和温度采样区33的边缘设置有倒角35;所述功率区31、功率引脚区32和温度采样区33的边缘内设置有订泡点11。
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