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龙图腾网获悉北京大学申请的专利堆叠晶体管的制备方法、堆叠晶体管及半导体器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119342892B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-11发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411306425.5，技术领域涉及：H10D84/85；该发明授权堆叠晶体管的制备方法、堆叠晶体管及半导体器件是由吴恒;彭莞越;王润声;黎明;黄如设计研发完成，并于2024-09-19向国家知识产权局提交的专利申请。

本堆叠晶体管的制备方法、堆叠晶体管及半导体器件在说明书摘要公布了：本申请提供一种堆叠晶体管的制备方法、堆叠晶体管及半导体器件。方法包括：在半导体衬底上一次刻蚀形成堆叠结构，堆叠结构包括：第一有源结构和第二有源结构；在半导体衬底上形成覆盖堆叠结构的氧化层；形成覆盖氧化层的伪栅结构；伪栅结构包括第一伪栅结构和第二伪栅结构；基于覆盖有氧化层的第一有源结构，形成第一晶体管；倒片并去除半导体衬底；基于覆盖有氧化层的第二有源结构，形成第二晶体管；对第一伪栅结构的第一部分进行氧化处理，以在第一栅极结构和第二栅极结构之间形成第一栅极隔离结构；和或，对第二伪栅结构的第一部分进行氧化处理，以在第一栅极结构和第二栅极结构之间形成第二栅极隔离结构。

本发明授权堆叠晶体管的制备方法、堆叠晶体管及半导体器件在权利要求书中公布了：1.一种堆叠晶体管的制备方法，其特征在于，所述方法包括： 在半导体衬底上一次刻蚀形成堆叠结构，其中，所述堆叠结构包括：第一有源结构和第二有源结构；所述第一有源结构和所述第二有源结构在第一方向上依次堆叠，所述第一有源结构相比于所述第二有源结构远离所述半导体衬底，所述第一方向为垂直所述半导体衬底的方向； 在所述半导体衬底上形成覆盖所述堆叠结构的氧化层； 在所述堆叠晶体管的栅极区域内，形成覆盖所述氧化层的伪栅结构；所述伪栅结构包括第一伪栅结构和第二伪栅结构； 基于覆盖有所述氧化层的第一有源结构，形成第一晶体管，其中，所述第一晶体管包括：第一栅极结构，所述第一栅极结构是基于所述第一伪栅结构形成的； 倒片并去除所述半导体衬底； 基于覆盖有所述氧化层的第二有源结构，形成第二晶体管，其中，所述第二晶体管包括：第二栅极结构，所述第二栅极结构是基于所述第二伪栅结构形成的； 对所述第一伪栅结构的第一部分进行氧化处理，以在所述第一栅极结构和所述第二栅极结构之间形成第一栅极隔离结构；和或，对所述第二伪栅结构的第一部分进行氧化处理，以在所述第一栅极结构和所述第二栅极结构之间形成第二栅极隔离结构；其中，所述伪栅结构是采用多晶硅材料形成的多晶硅结构；对多晶硅结构进行高温氧化，获得氧化后的多晶硅结构，所述氧化后的多晶硅结构为栅极隔离结构；所述栅极隔离结构包括所述第一栅极隔离结构和所述第二栅极隔离结构； 其中，所述第一伪栅结构的第一部分是所述第一伪栅结构中靠近第二伪栅结构的一部分，所述第二伪栅结构的第一部分是所述第二伪栅结构中靠近所述第一伪栅结构的一部分，所述氧化层在所述氧化处理过程中保护所述堆叠结构。

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