合肥领航微系统集成有限公司弓冬冬获国家专利权
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龙图腾网获悉合肥领航微系统集成有限公司申请的专利一种压电MEMS芯片的制备工艺获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119365054B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-11发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411255190.1，技术领域涉及：H10N30/081；该发明授权一种压电MEMS芯片的制备工艺是由弓冬冬;詹同舟;王国谦;高宇设计研发完成，并于2024-09-09向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种压电MEMS芯片的制备工艺在说明书摘要公布了：本发明公开了一种压电MEMS芯片的制备工艺，包括步骤：在衬底正面生长压电层；刻蚀压电层，使压电层图形化；在压电层远离衬底的表面生长掩膜层，刻蚀掩膜层，使掩膜层图形化；刻蚀衬底背面，形成背腔；刻蚀衬底正面，使衬底正面图形化；剥离掩膜层。本发明压电MEMS芯片的制备工艺与传统工艺相比，增加了掩膜层，通过掩膜层增加压电MEMS芯片脆弱结构的稳定性，防止刻蚀时发生断裂，提升良品率；同时在剥离掩膜层时，粘膜层的材料采用Si3N4，粘膜层在高温、大应力的环境下进行生成时，使掩膜层自然剥离，形成最终的压电MEMS芯片。
本发明授权一种压电MEMS芯片的制备工艺在权利要求书中公布了：1.一种压电MEMS芯片的制备工艺，其特征在于，包括步骤： S1、在衬底10正面生长压电层200； S2、刻蚀压电层200，使压电层200图形化，开设有贯通压电层的孔； S3、在压电层200远离衬底10的表面生长掩膜层300； S4、刻蚀掩膜层300，使掩膜层300图形化，图形化后的掩膜层300位于压电层200上表面； S5、刻蚀衬底10背面，形成背腔； S6、刻蚀衬底10正面，使衬底10正面图形化； S7、剥离掩膜层300； 其中，S3中在压电层200远离衬底10的表面生长掩膜层300时，采用PECVD工艺；其中，PECVD工艺过程中的应力为10-50MPa，温度为150-250℃。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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