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龙图腾网获悉上海非夕机器人科技有限公司申请的专利基于多通道CMOS传感器的力和力矩测量系统获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223091429U 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-11发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202422173211.7，技术领域涉及：G01L5/1627；该实用新型基于多通道CMOS传感器的力和力矩测量系统是由李书涵;姜皓;关纪涛;曼迪拉·马兰贝设计研发完成，并于2024-09-04向国家知识产权局提交的专利申请。

本基于多通道CMOS传感器的力和力矩测量系统在说明书摘要公布了：本实用新型提供了一种基于多通道CMOS传感器的力和力矩测量系统,包括第一平台和第二平台二者呈相对设置，变形结构设置在第一平台和第二平台之间，所述多通道CMOS传感器本体和发光二极管阵列二者均设置在第一平台上或第二平台上，所述多通道CMOS传感器本体上的任一通道均捕获发光二极管阵列发出的经过第二平台反射的光学信号。通过多通道CMOS传感器本体检测到的不同波长的光强度会随着第二平台和第一平台之间的相对位置的变化而变化，这些变化是由不同荷载下机械机构的偏转引起的，从多通道CMOS传感器本体中产生的电信号，对应于光强度的变化，可以精确地映射到特定的力和或扭矩负载，有助于提高测量的准确性和可靠性。

本实用新型基于多通道CMOS传感器的力和力矩测量系统在权利要求书中公布了：1.一种基于多通道CMOS传感器的力和力矩测量系统，其特征在于，包括第一平台1、第二平台2、多通道CMOS传感器本体3、发光二极管阵列4以及变形结构5，所述第一平台1和第二平台2二者呈相对设置，所述变形结构5设置在第一平台1和第二平台2之间； 所述多通道CMOS传感器本体3设置在第一平台1上，所述发光二极管阵列4设置在第二平台2上，所述多通道CMOS传感器本体3和发光二极管阵列4二者相对设置，所述多通道CMOS传感器本体3上的任一通道均捕获发光二极管阵列4发出的光学信号； 或，所述多通道CMOS传感器本体3设置在第二平台2上，所述发光二极管阵列4设置在第一平台1上，所述多通道CMOS传感器本体3和发光二极管阵列4二者相对设置，所述多通道CMOS传感器本体3上的任一通道均捕获发光二极管阵列4发出的光学信号； 或，所述多通道CMOS传感器本体3和发光二极管阵列4二者均设置在第一平台1上，所述多通道CMOS传感器本体3上的任一通道均捕获发光二极管阵列4发出的经过第二平台2反射的光学信号； 或，所述多通道CMOS传感器本体3和发光二极管阵列4二者均设置在第二平台2上，所述多通道CMOS传感器本体3上的任一通道均捕获发光二极管阵列4发出的经过第一平台1反射的光学信号。

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