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龙图腾网获悉新硅能微电子(苏州)有限公司申请的专利半导体IGBT器件获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223094109U 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-11发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202422158930.1，技术领域涉及：H10D12/00；该实用新型半导体IGBT器件是由孙磊;陈译;陆佳顺;杨洁雯设计研发完成，并于2024-09-04向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体IGBT器件在说明书摘要公布了：本实用新型公开一种半导体IGBT器件，包括：硅片、位于硅片上部的P阱区和位于P阱区下方的N型轻掺杂漂移层，一位于硅片下部的P型重掺杂集电区与N型轻掺杂漂移层之间设置有一N型电场阻止层；位于P阱区内的第一沟槽、第二沟槽分别延伸至所述N型轻掺杂漂移层内；位于第一沟槽、第二沟槽周边分别具有一第一N型重掺杂发射极区、第二N型重掺杂发射极区，一N型重掺杂中间层位于第一沟槽、第二沟槽之间，所述N型重掺杂中间层位于P阱区底部与N型轻掺杂漂移层之间。本实用新型半导体IGBT器件降低了IGBT器件工作时候的导通压降，从而降低了功率损耗和产生的热量，提高了IGBT器件的可靠性。

本实用新型半导体IGBT器件在权利要求书中公布了：1.一种半导体IGBT器件，其特征在于：包括：硅片（1）、位于硅片（1）上部的P阱区（2）和位于P阱区（2）下方的N型轻掺杂漂移层（3），一位于硅片（1）下部的P型重掺杂集电区（4）与N型轻掺杂漂移层（3）之间设置有一N型电场阻止层（5）； 位于P阱区（2）内的第一沟槽（61）、第二沟槽（62）分别延伸至所述N型轻掺杂漂移层（3）内，所述第一沟槽（61）、第二沟槽（62）内分别具有第一导电多晶硅（71）、第二导电多晶硅（72），此第一导电多晶硅（71）、第二导电多晶硅（72）分别与第一沟槽（61）、第二沟槽（62）各自内壁之间分别具有第一氧化层（81）、第二氧化层（82）； 位于第一沟槽（61）、第二沟槽（62）周边分别具有一第一N型重掺杂发射极区（91）、第二N型重掺杂发射极区（92），一N型重掺杂中间层（11）位于第一沟槽（61）、第二沟槽（62）之间，所述N型重掺杂中间层（11）位于P阱区（2）底部与N型轻掺杂漂移层（3）之间； 所述第一导电多晶硅（71）、第二导电多晶硅（72）各自上表面分别覆盖有第一介质层（101）、第二介质层（102），一发射极金属层（12）覆盖于第一N型重掺杂发射极区（91）、第二N型重掺杂发射极区（92）和位于第一N型重掺杂发射极区（91）、第二N型重掺杂发射极区（92）之间的P阱区（2）各自的上表面，一集电极金属层（13）覆盖于P型重掺杂集电区（4）与N型电场阻止层（5）相背的表面。

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