买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

龙图腾网获悉新硅能微电子(苏州)有限公司申请的专利IGBT器件结构获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223094110U 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-11发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202422159149.6，技术领域涉及：H10D12/00；该实用新型IGBT器件结构是由孙磊;陈译;陆佳顺;杨洁雯设计研发完成，并于2024-09-04向国家知识产权局提交的专利申请。

本IGBT器件结构在说明书摘要公布了：本实用新型公开一种IGBT器件结构，位于P阱区内的第一沟槽、第二沟槽和第三沟槽分别延伸至所述N型轻掺杂漂移层内，所述第一沟槽、第二沟槽和第三沟槽内分别具有第一导电多晶硅、第二导电多晶硅和第三导电多晶硅，此第一导电多晶硅、第二导电多晶硅和第三导电多晶硅分别与第一沟槽、第二沟槽和第三沟槽各自内壁之间分别具有第一氧化层、第二氧化层和第三氧化层；位于第一沟槽、第二沟槽和第三沟槽周边分别具有一第一N型重掺杂发射极区、第二N型重掺杂发射极区和第三N型重掺杂发射极区。本实用新型既降低了IGBT器件工作时候的导通压降，降低了功率损耗和产生的热量，提高了IGBT器件的可靠性，也提高了开关速度和减少了开关损耗。

本实用新型IGBT器件结构在权利要求书中公布了：1.一种IGBT器件结构，其特征在于：包括：硅片（1）、位于硅片（1）上部的P阱区（2）和位于P阱区（2）下方的N型轻掺杂漂移层（3），一位于硅片（1）下部的P型重掺杂集电区（4）与N型轻掺杂漂移层（3）之间设置有一N型电场阻止层（5）； 位于P阱区（2）内的第一沟槽（61）、第二沟槽（62）和第三沟槽（63）分别延伸至所述N型轻掺杂漂移层（3）内，所述第一沟槽（61）、第二沟槽（62）和第三沟槽（63）内分别具有第一导电多晶硅（71）、第二导电多晶硅（72）和第三导电多晶硅（73），此第一导电多晶硅（71）、第二导电多晶硅（72）和第三导电多晶硅（73）分别与第一沟槽（61）、第二沟槽（62）和第三沟槽（63）各自内壁之间分别具有第一氧化层（81）、第二氧化层（82）和第三氧化层（83）； 位于第二沟槽（62）周边具有一第二N型重掺杂发射极区（92），所述第一沟槽（61）靠近第二沟槽（62）一侧的周边具有第一N型重掺杂发射极区（91），所述第三沟槽（63）靠近第二沟槽（62）一侧的周边具有第三N型重掺杂发射极区（93）；一N型重掺杂中间层（11）位于第一沟槽（61）、第二沟槽（62）之间，所述N型重掺杂中间层（11）位于P阱区（2）底部与N型轻掺杂漂移层（3）之间，位于第二沟槽（62）和第三沟槽（63）之间的P阱区（2）与N型轻掺杂漂移层（3）接触； 所述第一导电多晶硅（71）、第二导电多晶硅（72）和第三导电多晶硅（73）各自上表面分别覆盖有第一介质层（101）、第二介质层（102）和第三介质层（103），一发射极金属层（12）覆盖于第一N型重掺杂发射极区（91）、第二N型重掺杂发射极区（92）和位于第一N型重掺杂发射极区（91）、第二N型重掺杂发射极区（92）之间的P阱区（2）各自的上表面，一集电极金属层（13）覆盖于P型重掺杂集电区（4）与N型电场阻止层（5）相背的表面。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人新硅能微电子(苏州)有限公司，其通讯地址为：215011 江苏省苏州市高新区青山路1号2幢306室；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。