上海微芸半导体科技有限公司张二辉获国家专利权
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龙图腾网获悉上海微芸半导体科技有限公司申请的专利一种设置于等离子体刻蚀设备中的匀流装置和刻蚀设备获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223092810U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-11发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202422105475.9，技术领域涉及：H01J37/32；该实用新型一种设置于等离子体刻蚀设备中的匀流装置和刻蚀设备是由张二辉设计研发完成，并于2024-08-28向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种设置于等离子体刻蚀设备中的匀流装置和刻蚀设备在说明书摘要公布了：本申请提供一种设置于等离子体刻蚀设备中的匀流装置和电容耦合等离子体刻蚀设备，匀流装置包括被配置有若干贯穿孔的匀流装置本体，所述贯穿孔包括一体设置的进气口、出气口和孔道，所述孔道为弯曲孔道。电容耦合等离子体刻蚀设备包括刻蚀腔和上述匀流装置。匀流装置的弯曲孔道减少了孔道在刻蚀工艺过程中的暴露程度，降低刻蚀过程中物理化学反应对出气孔道的损害，保证腔室进气的均匀性，延长匀流装置的工作寿命。电容耦合等离子体刻蚀设备使晶圆刻蚀的均匀性得到提高，匀流装置的更换周期变长。
本实用新型一种设置于等离子体刻蚀设备中的匀流装置和刻蚀设备在权利要求书中公布了：1.一种设置于等离子体刻蚀设备中的匀流装置，其特征在于，包括被配置有若干贯穿孔的匀流装置本体，所述贯穿孔包括一体设置的进气口、出气口和孔道，所述孔道为弯曲孔道，所述孔道至少包括第一部分、第二部分和弯曲部，所述第一部分和所述第二部分为直通部。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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