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龙图腾网获悉苏州铠欣半导体科技有限公司;湖南铠欣新材料科技有限公司申请的专利碳化硅涂层及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118326365B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-11发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410652608.6，技术领域涉及：C23C16/32；该发明授权碳化硅涂层及其制备方法是由贺鹏博;胡丹;李亚林设计研发完成，并于2024-05-24向国家知识产权局提交的专利申请。

本碳化硅涂层及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种碳化硅涂层及其制备方法。该制备方法包括如下步骤：对基板进行化学气相沉积处理形成碳化硅涂层；其中，化学气相沉积处理包括依次进行的低温成核阶段、中温生长阶段和高温生长阶段，化学气相沉积处理所采用的气源包括稀释气体、氢气和有机硅源气体；低温成核阶段的沉积温度为600℃~800℃；中温生长阶段的沉积温度为1000℃~1300℃；高温生长阶段的沉积温度为1350℃~1500℃。上述各阶段之间呈现阶梯式升温方式，该阶梯式升温条件下的化学气相沉积方式减少了碳化硅晶体出现局部过热或冷凝的现象，有效抑制了涂层内部应力的产生，减少了微裂纹和空洞的形成，提高了涂层的致密性，进而提高了碳化硅涂层的力学性能。

本发明授权碳化硅涂层及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种碳化硅涂层的制备方法，其特征在于，包括如下步骤： 在400℃～600℃的真空条件下对基板进行保温预处理的步骤；所述保温预处理的保温时间为1h～2h； 对保温预处理后的基板进行化学气相沉积处理形成碳化硅涂层； 其中，所述化学气相沉积处理包括依次进行的低温成核阶段、中温生长阶段和高温生长阶段，所述化学气相沉积处理所采用的气源包括稀释气体、氢气和有机硅源气体；所述低温成核阶段的沉积温度为600℃～800℃；所述中温生长阶段的沉积温度为1000℃～1300℃；所述高温生长阶段的沉积温度为1350℃～1500℃； 所述化学气相沉积处理包括： 以0.5℃min～15℃min的速率升温至所述低温成核阶段的沉积温度；当温度达到所述低温成核阶段的沉积温度后，先保温1h～2h，然后再通入所述气源进行第一次化学气相沉积，所述第一次化学气相沉积的时间为20min～30min； 停止通入所述氢气和有机硅源气体；以2℃min～10℃min的速率升温50℃～100℃并保温4min～6min的方式从所述低温成核阶段的沉积温度升温至所述中温生长阶段的沉积温度；当温度达到所述中温生长阶段的沉积温度后，先保温1h～2h，然后再通入所述氢气和所述硅源气体进行第二次化学气相沉积，所述第二次化学气相沉积的时间为20min～80min； 停止通入所述氢气和有机硅源气体；以2℃min～10℃min的速率升温50℃～100℃并保温4min～6min的方式从所述中温生长阶段的沉积温度升温至所述高温生长阶段的沉积温度；当温度达到所述高温生长阶段的沉积温度后，先保温1h～2h，然后再通入所述氢气和所述硅源气体进行第三次化学气相沉积，所述第三次化学气相沉积的时间为40min～100min； 在所述高温生长阶段完成后，还包括如下步骤： 以1℃min～3℃min的速率将温度从所述高温生长阶段的沉积温度降温至700～800℃，保温2～4h；然后以0.3℃min～1℃min降低至室温。

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