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龙图腾网获悉上海天马微电子有限公司申请的专利微流控基板、微流控装置及微流控装置的驱动方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116371493B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-11发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310451568.4，技术领域涉及：B01L3/00；该发明授权微流控基板、微流控装置及微流控装置的驱动方法是由章凯迪;林柏全;王林志;李伟;席克瑞设计研发完成，并于2023-04-24向国家知识产权局提交的专利申请。

本微流控基板、微流控装置及微流控装置的驱动方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种微流控基板、微流控装置及微流控装置的驱动方法。微流控基板包括：衬底基板；驱动电路层，位于衬底基板的一侧，驱动电路层包括多个驱动单元，驱动单元包括驱动晶体管和可变电容；可变电容包括第一极板、导电层、半导体层和第二极板，导电层和半导体层位于第一极板与第二极板之间，导电层和半导体层电性连接，导电层接参考电压，半导体层位于第一极板远离衬底基板的一侧，第一极板与驱动晶体管的栅极电性连接；电极阵列层，位于驱动晶体管远离衬底基板的一侧，电极阵列层包括与驱动单元一一对应的驱动电极，第二极板为驱动电极的一部分。本发明实施例能够提升施加给驱动电极的驱动电压，满足液滴驱动需求。

本发明授权微流控基板、微流控装置及微流控装置的驱动方法在权利要求书中公布了：1.一种微流控基板，其特征在于，包括： 衬底基板； 驱动电路层，位于所述衬底基板的一侧，所述驱动电路层包括多个驱动单元，所述驱动单元包括驱动晶体管和可变电容；所述驱动晶体管包括栅极、有源层、第一电极和第二电极，所述栅极接收扫描信号，所述第一电极接收驱动信号；所述可变电容包括第一极板、导电层、半导体层和第二极板，所述导电层和所述半导体层位于所述第一极板与所述第二极板之间，所述导电层和所述半导体层电性连接，所述导电层接参考电压，所述半导体层位于所述第一极板远离所述衬底基板的一侧，所述第一极板与所述栅极电性连接； 电极阵列层，位于所述驱动晶体管远离所述衬底基板的一侧，所述电极阵列层包括与所述驱动单元一一对应的驱动电极，所述驱动电极与对应所述驱动晶体管的所述第二电极电连接，所述第二极板为所述驱动电极的一部分，在垂直于所述衬底基板所在平面的方向上，所述第二极板和所述第一极板均覆盖所述半导体层的第一部分，所述第二极板和所述导电层相交叠，所述导电层和所述半导体层的第一部分无交叠。

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