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龙图腾网获悉重庆邮电大学申请的专利GOA电路、GOA单元及其驱动方法、阵列基板获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116453443B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-11发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310424403.8，技术领域涉及：G09G3/20；该发明授权GOA电路、GOA单元及其驱动方法、阵列基板是由谢应涛;蹇欢;蔡坤林;黄雁琳;周围设计研发完成，并于2023-04-19向国家知识产权局提交的专利申请。

本GOA电路、GOA单元及其驱动方法、阵列基板在说明书摘要公布了：本发明涉及一种GOA电路、GOA单元及其驱动方法、阵列基板，属于显示技术领域。其中GOA电路由N级级联设置的GOA单元构成，第一级GOA单元由启动信号SIN启动，第n级GOA单元由第n‑1级GOA单元的输出信号Coutn‑1启动。在级联设置的GOA单元中，奇数级GOA单元接入第一时钟信号SCLK1、第二时钟信号SCLK2作为控制信号，偶数级GOA单元接入第三时钟信号SCLK3、第四时钟信号SCLK4作为控制信号。本发明中GOA单元搭配有特定驱动时序，可以使输出信号快速充电，同时能够解决传统GOA电路直流驱动充电缓慢而无法实现全摆幅输出的问题以及输出信号漏电问题。

本发明授权GOA电路、GOA单元及其驱动方法、阵列基板在权利要求书中公布了：1.一种GOA单元，其特征在于：包括薄膜晶体管T1～T12以及电容C1～C3； 薄膜晶体管T1的栅极接入时钟信号，源极接入启动信号，其漏极分别与薄膜晶体管T2的源极和T3的漏极连接； 薄膜晶体管T2的栅极接入时钟信号，其漏极与第三节点Q0连接； 薄膜晶体管T3的栅极和源极均与薄膜晶体管T9的漏极连接； 薄膜晶体管T4的源极接入时钟信号，其栅极与第三节点Q0连接，其漏极与第四节点Q1连接； 薄膜晶体管T5的栅极与第二节点QB连接，其源极接入电压信号，其漏极与第四节点Q1连接； 薄膜晶体管T6的栅极与第二节点QB连接，其源极接入电压信号，其漏极与第一节点Q连接； 薄膜晶体管T7的栅极与第三节点Q0连接，其源极接入启动信号，其漏极与第二节点QB连接； 薄膜晶体管T8的栅极接入时钟信号，其源极接入电压信号，其漏极与第二节点QB连接； 薄膜晶体管T9的栅极与第一节点Q连接，其源极接入电压信号，其漏极与薄膜晶体管T10的漏极连接； 薄膜晶体管T10的栅极与第二节点QB连接，其源极接入电压信号； 薄膜晶体管T11的栅极与第一节点Q连接，其源极接入电压信号，其漏极与薄膜晶体管T12的漏极连接； 薄膜晶体管T12的栅极与第二节点QB连接，其源极接入电压信号； 电容C1的一端与第三节点Q0连接，另一端与第四节点Q1连接；电容C2的一端与第四节点Q1连接，另一端与第一节点Q连接；电容C3的一端与第二节点QB连接，另一端与薄膜晶体管T10的源极连接； 所述薄膜晶体管T1、T2和T8接入相同的一种时钟信号，所述薄膜晶体管T4接入另一种时钟信号；所述薄膜晶体管T5和T10接入的电压信号为第一恒压低电平信号；所述薄膜晶体管T6和T12接入的电压信号为第二恒压低电平信号；所述薄膜晶体管T8、T9和T11接入的电压信号为恒压高电平信号。

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