安徽格恩半导体有限公司李水清获国家专利权
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龙图腾网获悉安徽格恩半导体有限公司申请的专利一种具有双曲色散层的半导体激光元件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116454731B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-11发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310377875.2，技术领域涉及：H01S5/20；该发明授权一种具有双曲色散层的半导体激光元件是由李水清;请求不公布姓名;王星河;胡志勇;陈婉君;张江勇;刘紫涵;蔡鑫;陈三喜;蒙磊;季徐芳;黄军设计研发完成，并于2023-04-11向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种具有双曲色散层的半导体激光元件在说明书摘要公布了：本发明公开了一种具有双曲色散层的半导体激光元件，涉及半导体光电器件技术领域；为了解决现有技术中全固态半导体激光器存在缺陷问题；从下至上依次包括衬底、下限制层、下波导层、有源层、上波导层、电子阻挡层和上限制层，所述下限制层和下波导层之间、下波导层和有源层之间，以及上波导层和有源层之间均设置有双曲色散层。本发明可调控二维极化子波包的双曲色散，降低光场模式泄漏到衬底，抑制衬底模式，改善激光远场图像FFP中出现的波纹，形成单模激光发射，并减少上波导层及下波导层的光吸收，降低内部光学损耗，增强空穴注入效率，提升电激射增益，降低激光元件的激发阈值和增益均匀性，增强限制因子。
本发明授权一种具有双曲色散层的半导体激光元件在权利要求书中公布了：1.一种具有双曲色散层的半导体激光元件，从下至上依次包括衬底（1）、下限制层（2）、下波导层（3）、有源层（4）、上波导层（5）、电子阻挡层（6）和上限制层（7），其特征在于，所述下限制层（2）和下波导层（3）之间、下波导层（3）和有源层（4）之间，以及上波导层（5）和有源层（4）之间均设置有双曲色散层（8）； 所述双曲色散层（8）为ZiNiSn、MnTe、CrI3、BiSbTe、CoSb3、Cr2Ge2Te6中的一种，或者为包括异质结、超晶格、量子阱、核壳结构、量子点、二维莫尔超晶格结构的二元组合、三元组合、四元组合、五元组合和六元组合中的一种； 所述双曲色散层（8）的厚度为0.5～500nm。
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