安徽大学高阳获国家专利权
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龙图腾网获悉安徽大学申请的专利一种Cu7Te4纳米片的制备方法及其应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116281888B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-11发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310147154.2，技术领域涉及：C01B19/04；该发明授权一种Cu7Te4纳米片的制备方法及其应用是由高阳;王守国;叶坤;周文达;田尚杰;杨蒙蒙;阚绪材;臧一鹏;陈学刚设计研发完成，并于2023-02-15向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种Cu7Te4纳米片的制备方法及其应用在说明书摘要公布了：本发明提供一种Cu7Te4纳米片的制备方法及其应用。所述制备方法包括：碲源和铜源通过化学气相沉积，在衬底上制备得到所述Cu7Te4纳米片。本发明提供一种通过化学气相沉积的过程，外延生长二维Cu7Te4纳米片，利用化学气相沉积的方法实现了二维Cu7Te4纳米片的生长。可以与传统的二维半导体形成具有理想的金属‑半导体界面，有望解决基于二维材料在电子，光电子器件和自旋电子器件中的接触问题。
本发明授权一种Cu7Te4纳米片的制备方法及其应用在权利要求书中公布了：1.一种Cu7Te4纳米片的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括： 碲源和铜源通过化学气相沉积方法，在衬底上制备得到具有三角形状和六边形状的Cu7Te4纳米片； 所述化学气相沉积在双温区管式炉中进行； 在所述双温区管式炉中，将所述碲源放置于低温区域，将铜源和氯化钠的混合物和衬底放置于高温区域；所述低温区域的温度为500～700℃；所述高温区域的温度为600～800℃。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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