郑州轻工业大学秦自瑞获国家专利权
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龙图腾网获悉郑州轻工业大学申请的专利基于面内光子自旋霍尔效应的偏振态调制型纳米级薄膜折射率测量方法及其应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115855878B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-11发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211669540.X，技术领域涉及：G01N21/41；该发明授权基于面内光子自旋霍尔效应的偏振态调制型纳米级薄膜折射率测量方法及其应用是由秦自瑞;姜利英;白子豪;任林娇;张培;齐汝宾;庞伟伟;周海洋设计研发完成，并于2022-12-24向国家知识产权局提交的专利申请。
本基于面内光子自旋霍尔效应的偏振态调制型纳米级薄膜折射率测量方法及其应用在说明书摘要公布了：本发明属于精密测量领域，涉及一种基于面内光子自旋霍尔效应的偏振态调制型纳米级薄膜折射率测量方法及其应用。通过建立不同厚度的薄膜材料在各折射率下，面内光子自旋分裂位移随入射偏振态变化的数据库；将待检测的纳米级薄膜放到样品台上，在某入射角下，依次采集不同入射偏振态时面内光子自旋分裂位移的测量数据。将该测量数据与数据库中的相应理论数据进行比对，进而确定被测纳米级薄膜的折射率。本发明的检测系统结构简单、易于操作，且测量时调制的是入射偏振态而非入射角，因此，测量过程中不会引入因入射角变动而引起的偏心误差。此外，该方法测量的是光斑质心的偏移，其不受环境光的影响，因而该方法具有测量精度高和稳定性好等优点。
本发明授权基于面内光子自旋霍尔效应的偏振态调制型纳米级薄膜折射率测量方法及其应用在权利要求书中公布了：1.基于面内光子自旋霍尔效应的偏振态调制型纳米级薄膜折射率测量方法，其特征在于，包括以下步骤： 1根据面内光子自旋分裂位移与薄膜折射率的理论关系模型，建立入射光束以任意入射角在不同厚度的纳米级薄膜表面反射时，各薄膜折射率所对应的入射偏振态与面内光子自旋分裂位移的理论对应关系数据组； 2将入射光以某一入射角和某一初始入射偏振态入射至被测材料，利用测量面内光子自旋分裂位移的方法，获得此偏振态下的面内光子自旋分裂位移； 3参照步骤2的方法，依次改变入射偏振态，获得一组入射偏振态下的面内光子自旋分裂位移的测量数据； 4将步骤3所获得的测量数据组与步骤1所得的理论对应关系数据组进行比对分析和计算，最终确定纳米级薄膜的折射率。
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