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龙图腾网获悉南京邮电大学申请的专利一种低压高阶补偿带隙基准电压源获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115826667B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-11发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211650037.X，技术领域涉及：G05F1/567；该发明授权一种低压高阶补偿带隙基准电压源是由陈俊宏;王子轩;吴伟;蔡志匡;杜逸飞;谢祖帅;姚佳飞;郭宇锋设计研发完成，并于2022-12-21向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种低压高阶补偿带隙基准电压源在说明书摘要公布了：本发明公开了一种低压高阶补偿带隙基准电压源，属于模拟集成电路技术领域。所述低压高阶补偿带隙基准电压源包括一阶多级可调温度补偿电路、高阶温度补偿电路、降压电路、电流电压转换电路。所述一阶多级可调温度补偿电路用于产生温漂系数较大的电流；所述高阶温度补偿电路用于补偿一阶多级可调温度补偿电路产生温漂系数较大的电流；所述降压电路用于抽取一阶多级可调温度补偿电路中流过BJT的电流；所述电压转换电路用于将一阶补偿电路和高阶温度补偿电路转换成所需的电压。本发明针对温漂特性曲线以及BJT的电压特性引入高阶温度补偿电路和降压电路，即能够实现低电源电压下低温漂的特性，也能够保证整体电路的稳定性。

本发明授权一种低压高阶补偿带隙基准电压源在权利要求书中公布了：1.一种低压高阶补偿带隙基准电压源，其特征在于，所述带隙基准电压源包括一阶多级可调温度补偿电路、高阶温度补偿电路、降压电路、电流电压转换电路；其中： 所述一阶多级可调温度补偿电路用于产生正温度系数电流IPTAT1和第一负温度系数电流ICTAT1； 所述高阶温度补偿电路用于产生第二负温度系数电流ICTAT2，以补偿一阶多级可调温度补偿电路产生的IPTAT1和ICTAT1的温度系数； 所述降压电路用于降低一阶多级可调温度补偿电路中晶体管BJT的电压，并保证其稳定性； 所述电压转换电路用于将一阶多级可调温度补偿电路产生的IPTAT1、ICTAT1和高阶温度补偿电路产生的ICTAT2合并，然后转换成所需的基准电压VREF输出； 所述一阶多级可调温度补偿电路包括放大器A1、放大器A2、电阻R1、电阻R2、电阻R3、电阻R4、双极型PNP型晶体管Q1、双极型PNP型晶体管Q2、双极型PNP型晶体管Q3、双极型PNP型晶体管Q4、双极型PNP型晶体管Q5、单极型PMOS晶体管MP3、单极型PMOS晶体管MP4、单极型PMOS晶体管MP5、单极型PMOS晶体管MP6、单极型PMOS晶体管MP7，其中； A1的正向输入端接MP5的漏极，负向输入端接MP6的栅极和漏极，输出端连接Q3的基极和R1的一端； A2的正向输入端接MP5的漏极，负向输入端接MP3的栅极和漏极，输出端连接Q5和Q3的基极； Q1的基极与R1的另一端相连，发射极连接R2的一端，集电极连接MP6的漏极； Q2的基极与R2的另一端相连，发射极连接R3的一端，集电极与MP7的漏极相连； Q3的基极与A1的输出端相连，发射极连接到Q4的基极一端，集电极连接到MP5的漏极； Q4的发射极接地GND，集电极连接MP4的漏极； Q5的基极与Q3的基极相连接，发射极连接R4的一端，集电极连接MP3的漏极； MP3的源极接VDD； MP4的源极接VDD，栅极连接单极型PMOS晶体管MP5的栅极； MP5的源极接VDD，栅极连接MP6的栅极； MP6的源极接VDD，栅极连接MP7的栅极； MP7的源极接VDD； 电阻R3的另一端连接GND；电阻R4的另一端连接GND； 所述高阶温度补偿电路包括放大器A5、电阻R5，其中： A5的正向输入端连接MP5的漏极，负向输入端连接A5的输出端，输出端连接R5的一端； R5的另一端作为高阶温度补偿电路的输出。

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