量子科技长三角产业创新中心郑伟文获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网获悉量子科技长三角产业创新中心申请的专利一种量子芯片中空气桥的制备方法及超导量子芯片获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115867116B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-11发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211671433.0，技术领域涉及：H10N60/01；该发明授权一种量子芯片中空气桥的制备方法及超导量子芯片是由郑伟文设计研发完成，并于2022-12-21向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种量子芯片中空气桥的制备方法及超导量子芯片在说明书摘要公布了：本发明公开了一种量子芯片中空气桥的制备方法及芯片，应用于量子芯片技术领域，包括在衬底表面设置第一超导层；刻蚀第一超导层以形成共面波导结构的形貌；共面波导结构包括相互分离的端部；在形成共面波导结构之后的样品表面设置第二超导层；第二超导层覆盖共面波导结构并填入共面波导结构的间隙，第二超导层的耐蚀性低于第一超导层的耐蚀性；基于第二超导层，设置与第一超导层连接的空气桥；空气桥的耐蚀性高于第二超导层的耐蚀性；通过选择性刻蚀液去除第二超导层。将第二超导层作为牺牲层制作空气桥，即使在释放牺牲层后仍有残留，也不会对电路性能产生很大影响，从而可以降低对电路性能的影响。
本发明授权一种量子芯片中空气桥的制备方法及超导量子芯片在权利要求书中公布了：1.一种量子芯片中空气桥的制备方法，其特征在于，包括： 在衬底表面设置第一超导层； 刻蚀所述第一超导层以形成共面波导结构的形貌；所述共面波导结构包括相互分离的端部； 在形成所述共面波导结构之后的样品表面设置第二超导层；所述第二超导层覆盖所述共面波导结构并填入所述共面波导结构的间隙，所述第二超导层的耐蚀性低于所述第一超导层的耐蚀性； 基于所述第二超导层，设置与所述第一超导层连接的空气桥；所述空气桥以所述第二超导层作为桥撑，连接所述共面波导结构的端部：所述空气桥的耐蚀性高于所述第二超导层的耐蚀性； 通过选择性刻蚀液去除所述第二超导层，保留所述共面波导结构和所述空气桥；所述选择性刻蚀液能刻蚀所述第二超导层，且不能刻蚀所述第一超导层和所述空气桥。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人量子科技长三角产业创新中心，其通讯地址为：215000 江苏省苏州市相城区青龙港路286号长三角国际研发社区启动区9C座101；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号