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龙图腾网获悉西安电子科技大学申请的专利一种自供电的偏振敏感型光电探测器及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115663042B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-11发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211356524.5，技术领域涉及：H10F77/12；该发明授权一种自供电的偏振敏感型光电探测器及其制备方法是由周楠;李俊浩;谢涌;李晓波;李浩然;党紫薇设计研发完成，并于2022-11-01向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种自供电的偏振敏感型光电探测器及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种自供电的偏振敏感型光电探测器及其制备方法，方法包括：微机械剥离法制备二维P‑WS2和N‑GeAs2纳米片；利用紫外光刻技术和镀膜技术在氧化硅衬底上制备数字标记的Mark；通过定点转移的方法在Mark标记的氧化硅衬底上制备二维P‑WS2N‑GeAs2范德华异质结；在二维P‑WS2N‑GeAs2范德华异质结上制备对电极图案并蒸镀电极；利用丙酮溶液去胶，得到基于二维P‑WS2N‑GeAs2范德华异质结的光电探测器。本发明设计的光电探测器结构简单，具有较高的响应度和偏振敏感度、较低的能耗、较快的响应速度，为自供电的偏振敏感型光电探测系统的实现提供了可能。

本发明授权一种自供电的偏振敏感型光电探测器及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种自供电的偏振敏感型光电探测器的制备方法，其特征在于，包括以下步骤： （1）采用化学气相输运法制备WS2单晶和GeAs2单晶； （2）将单抛氧化硅片切割成小块体，清洗吹干后，作为备用的氧化硅衬底；并采用紫外光刻技术和电子束蒸镀技术在上述氧化硅衬底上制备数字标记的Mark图案，得到带有Mark标记的氧化硅衬底； （3）基于所述WS2单晶和GeAs2单晶，采用微机械剥离法将剥离的二维WS2纳米片和GeAs2纳米片粘在PDMS衬底上； （4）将PDMS衬底上的二维WS2纳米片手动转移到带有Mark标记的氧化硅衬底上； （5）利用二维材料转移平台，通过定点转移的方法制备二维P-WS2N-GeAs2范德华异质结： 首先，通过显微聚焦系统分别找到带有Mark标记的氧化硅衬底上的二维WS2纳米片和PDMS衬底上的GeAs2纳米片，并将二维GeAs2纳米片移动至二维WS2纳米片的正上方； 随后，将带有二维GeAs2纳米片的PDMS衬底缓慢降低，直至二维GeAs2纳米片部分贴合在二维WS2纳米片上，形成二维P-WS2N-GeAs2范德华异质结； （6）采用热丙酮溶液浸泡或者退火的方式去除转移过程带来的二维样品表面的有机物，得到表面干净的二维P-WS2N-GeAs2范德华异质结； （7）在含有二维P-WS2N-GeAs2范德华异质结的氧化硅衬底上旋涂PMMA胶，并在加热板上进行烘干； （8）采用电子束曝光技术在二维P-WS2N-GeAs2范德华异质结上制备对电极图案； （9）通过热蒸镀的方法在曝光后的含有二维P-WS2N-GeAs2范德华异质结的氧化硅衬底上蒸镀金属电极； （10）进行去胶，将蒸镀金属电极的氧化硅衬底放到热丙酮溶液中浸泡，再利用胶头滴管进行电极区域外的金属层剥离，并用氮气吹干，得到基于二维P-WS2N-GeAs2范德华异质结的光电探测器。

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