北京京东方传感技术有限公司;京东方科技集团股份有限公司姜振武获国家专利权
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龙图腾网获悉北京京东方传感技术有限公司;京东方科技集团股份有限公司申请的专利探测基板及其制作方法和探测器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115621294B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-11发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211336849.7，技术领域涉及：H10F39/12；该发明授权探测基板及其制作方法和探测器是由姜振武;侯学成;庞凤春;张冠;杨祎凡设计研发完成，并于2022-10-28向国家知识产权局提交的专利申请。
本探测基板及其制作方法和探测器在说明书摘要公布了：本发明提出了探测基板及其制作方法和探测器。探测基板包括：衬底；栅极，栅极设置在衬底的一侧；有源层，有源层设置在栅极远离衬底的一侧，有源层包括掺杂部，掺杂部包括间隔设置的第一掺杂区和第二掺杂区，掺杂部具有第一掺杂浓度；掺杂层，掺杂层设置在第二掺杂区远离衬底的至少部分表面上，且掺杂层与第一掺杂区没有交叠，掺杂层具有第二掺杂浓度，第二掺杂浓度大于第一掺杂浓度；源漏电极层，源漏电极层包括源极和漏极，漏极与第一掺杂区接触连接，源极与掺杂层接触连接。由此，上述探测基板在薄膜晶体管处于断开的状态下，不易产生漏电流，并且，掺杂层的设置进一步改善了源极与有源层的欧姆接触，提高了薄膜晶体管的开关比。
本发明授权探测基板及其制作方法和探测器在权利要求书中公布了：1.一种探测基板，其特征在于，包括： 衬底； 栅极，所述栅极设置在所述衬底的一侧； 有源层，所述有源层设置在所述栅极远离所述衬底的一侧，所述有源层包括掺杂部，所述掺杂部包括间隔设置的第一掺杂区和第二掺杂区，所述掺杂部具有第一掺杂浓度； 掺杂层，所述掺杂层设置在所述第二掺杂区远离所述衬底的至少部分表面上，且所述掺杂层与所述第一掺杂区没有交叠，所述掺杂层具有第二掺杂浓度，所述第二掺杂浓度大于所述第一掺杂浓度； 源漏电极层，所述源漏电极层包括源极和漏极，所述漏极与所述第一掺杂区接触连接，所述源极与所述掺杂层接触连接。
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