上海交通大学张永获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网获悉上海交通大学申请的专利硅基钽酸锂混合波导及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115542459B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-11发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211265859.6，技术领域涉及：G02B6/122；该发明授权硅基钽酸锂混合波导及其制备方法是由张永;冯成龙;徐子涵;沈健;苏翼凯设计研发完成，并于2022-10-17向国家知识产权局提交的专利申请。
本硅基钽酸锂混合波导及其制备方法在说明书摘要公布了：一种硅基钽酸锂混合波导及其制备方法，该混合波导由上而下依次包括：非晶硅层、用于防止沉积非晶硅时出现黑点杂质影响波导传输效果的薄膜氧化硅层、用于传输TE模的钽酸锂层、氧化硅掩埋层和硅衬底，其中：非晶硅层、薄膜氧化硅层和钽酸锂层沉积形成层次结构，作为波导结构中用于光传播的结构层。本发明在LTO晶圆上通过沉积和刻蚀技术实现硅与钽酸锂异质集成的混合波导结构，光场会在传播过程中泄露到所述的波导的钽酸锂层中，从而实现光的钽酸锂层局域化，通过上述过程可以将钽酸锂这一具有优良特性的材料引入集成光波导中，实现对传统硅基光波导的突破。
本发明授权硅基钽酸锂混合波导及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种硅基钽酸锂混合波导，其特征在于，由上而下依次包括：非晶硅层、用于防止沉积非晶硅时出现黑点杂质影响波导传输效果的薄膜氧化硅层、用于传输TE模的钽酸锂层、氧化硅掩埋层和硅衬底，其中：非晶硅层、薄膜氧化硅层和钽酸锂层沉积形成层次结构，作为波导结构中用于光传播的结构层； 所述的硅基钽酸锂混合波导的折射率分布为：硅材料折射率n1≈3.42、钽酸锂材料折射率n2≈2.176、氧化硅材料折射率n3≈1.45。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人上海交通大学，其通讯地址为：200240 上海市闵行区东川路800号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号