上海大学任伟获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网获悉上海大学申请的专利一种利用气相输运法制备GeI2单晶的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115558990B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-11发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211201265.9，技术领域涉及：C30B25/00；该发明授权一种利用气相输运法制备GeI2单晶的方法是由任伟;陈睿;孔向阳;陈阳阳;刘畅设计研发完成，并于2022-09-29向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种利用气相输运法制备GeI2单晶的方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种利用气相输运法制备GeI2单晶的方法，使用氧化锗、次磷酸、氢碘酸、碘化铯为原料进行CsGeI3的粉末合成，在石英管的底部放入CsGeI3粉末，对石英管进行氩气清洗后抽真空，抽真空后密封石英管；使用布里奇曼炉对石英管进行加热、保温，然后梯度降温即可在石英管冷区获得GeI2单晶，石英管底部所剩余的为碘化铯，并且这部分碘化铯可重新用于CsGeI3粉末的合成。本发明提供了一种流程简单、易于工业化生产、重复率高、产率高、单晶质量高、成本低廉的气相传输制备高质量GeI2单晶的方法。
本发明授权一种利用气相输运法制备GeI2单晶的方法在权利要求书中公布了：1.一种利用气相输运法制备GeI2单晶的方法，其特征在于：使用CsGeI3钙钛矿粉末为原料；将CsGeI3钙钛矿粉末置于石英管底部，使用氮气清洗石英管至少三次后抽真空至气压不10Pa以下；然后使用加热炉对石英管进行加热、保温、缓慢提拉降温，即可在石英管内顶部冷区获得六方片状黄色透明GeI2单晶；加热炉所设置的加热温度为430-450℃，控制石英管内上端冷区的温度不高于240℃。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人上海大学，其通讯地址为：200444 上海市宝山区上大路99号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号