陕西科技大学尉国栋获国家专利权
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龙图腾网获悉陕西科技大学申请的专利一种基于碳化硅纳米线的忆阻器及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115623860B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-11发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211174559.7，技术领域涉及：H10N70/20；该发明授权一种基于碳化硅纳米线的忆阻器及其制备方法是由尉国栋;袁帅;李兰;翟配郴;苏莹;丁利苹设计研发完成，并于2022-09-26向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种基于碳化硅纳米线的忆阻器及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种基于碳化硅纳米线的忆阻器及其制备方法，其自下至上依次包括底电极、碳化硅纳米线薄膜、PMMA薄膜和顶电极。制备方法包括：步骤1，在底电极的导电面上覆盖碳化硅纳米线薄膜；步骤2：在步骤1的碳化硅纳米线薄膜上涂覆PMMA溶液，将顶电极以导电面朝下压到PMMA溶液上，热压使PMMA凝固，获得忆阻器。通过简单快速的方法制备了两端结构的碳化硅纳米线忆阻器，可以很好的模拟大脑突触的基本功能，并且可以模拟更为复杂的树突神经的功能。
本发明授权一种基于碳化硅纳米线的忆阻器及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种基于碳化硅纳米线的忆阻器的制备方法，其特征在于，包括： 步骤1，在底电极的导电面上覆盖碳化硅纳米线薄膜； 步骤2：在步骤1的碳化硅纳米线薄膜上涂覆PMMA溶液，将顶电极以导电面朝下压到PMMA溶液上，热压使PMMA凝固，获得忆阻器； 步骤1具体包括： 步骤1.1，将碳化硅单晶片使用阳极氧化法进行电化学刻蚀，获得碳化硅纳米线垂直阵列薄膜； 步骤1.2，将碳化硅纳米线垂直阵列薄膜转移至底电极表面； 或者，步骤1具体包括： 步骤1.01，将碳化硅纳米线、十二烷基苯潢酸钠、硝酸铝加入到异丙醇溶液，超声分散，获得碳化硅纳米线电化学沉积液； 步骤1.02，使用碳化硅纳米线电化学沉积液，采用电化学沉积法将碳化硅纳米线沉积到底电极上形成碳化硅纳米线薄膜。
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