无锡华普微电子有限公司何资星获国家专利权
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龙图腾网获悉无锡华普微电子有限公司申请的专利一种抗噪声辐射探测电路及抗噪声辐射探测方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115453607B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-11发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211123627.7，技术领域涉及：G01T1/24；该发明授权一种抗噪声辐射探测电路及抗噪声辐射探测方法是由何资星;张玲玲;郭凤丽设计研发完成，并于2022-09-15向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种抗噪声辐射探测电路及抗噪声辐射探测方法在说明书摘要公布了：本发明涉及核辐射探测领域，尤其涉及一种抗噪声辐射探测电路及抗噪声辐射探测方法。包括半导体探测器模块、电流脉冲生成模块、前置放大模块、极零相消模块和滤波成形模块。所述半导体探测器模块和电流脉冲生成模块的输出端均与前置放大模块的输入端连接，所述前置放大模块的输出端与极零相消模块的输入端连接，所述滤波成形模块的输入端与极零相消模块的输出端连接。本发明通过半导体探测器模块、电流脉冲生成模块，在分别进行探测器信号输入与脉冲信号输入时，可忽略它们之间相互分流影响，通过前后两次探测测试，利用公式进行数据处理，可有效滤除探测器的噪声和前置放大器的噪声，从而提高测试信号的信噪比。
本发明授权一种抗噪声辐射探测电路及抗噪声辐射探测方法在权利要求书中公布了：1.一种抗噪声辐射探测电路，其特征在于，包括半导体探测器模块1、电流脉冲生成模块2、前置放大模块3、极零相消模块4和滤波成形模块5； 所述半导体探测器模块1和电流脉冲生成模块2的输出端均与前置放大模块3的输入端连接，所述前置放大模块3的输出端与极零相消模块4的输入端连接，所述滤波成形模块5的输入端与极零相消模块4的输出端连接； 所述半导体探测器模块1能够对辐射源进行探测，输出辐射探测信号； 所述电流脉冲生成模块2能够生成电流脉冲信号，以模拟半导体探测器模块1产生的信号； 所述前置放大模块3能够对辐射探测信号或电流脉冲信号进行一次放大； 所述极零相消模块4能够放大后的辐射探测信号或电流脉冲信号进行基线恢复； 所述滤波成形模块5能够对基线恢复后的辐射探测信号或电流脉冲信号进行二次放大和滤波。
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