聚灿光电科技股份有限公司江汉获国家专利权
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龙图腾网获悉聚灿光电科技股份有限公司申请的专利一种基于氧化铝氧化硅复合衬底的LED芯片及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115692570B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-11发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211021069.3，技术领域涉及：H10H20/82；该发明授权一种基于氧化铝氧化硅复合衬底的LED芯片及其制造方法是由江汉;程虎;徐洋洋;黎国昌;徐志军;卓昌正;王文君设计研发完成，并于2022-08-24向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种基于氧化铝氧化硅复合衬底的LED芯片及其制造方法在说明书摘要公布了：本申请提供一种基于氧化铝氧化硅复合衬底的LED芯片及其制造方法，所述LED芯片氧化铝氧化硅复合PSS衬底、复合缓冲层和LED结构层，其中，所述复合缓冲层外延生长在氧化铝氧化硅复合PSS衬底上，所述LED结构层外延生长在复合缓冲层上。所述复合缓冲层包括：氮氧化铝氮化铝层和氮氧化硅层，所述氧化铝氧化硅复合PSS衬底中的氧化铝上由所述氮氧化铝氮化铝层覆盖，所述氧化铝氧化硅复合PSS衬底中的氧化硅上由所述氮氧化铝氮化铝层和氮氧化硅层交错间隔覆盖。复合缓冲层在氧化铝和氧化硅材料上有更好厚度均匀性，并且可以更好缓冲氧化铝氧化硅复合PSS衬底到LED垒晶底层因材质不同引起的晶格失陪和应力释放，减少衔接层处的缺陷。
本发明授权一种基于氧化铝氧化硅复合衬底的LED芯片及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种基于氧化铝氧化硅复合衬底的LED芯片，其特征在于，包括：氧化铝氧化硅复合PSS衬底、复合缓冲层和LED结构层，其中，所述复合缓冲层外延生长在氧化铝氧化硅复合PSS衬底上，所述LED结构层外延生长在复合缓冲层上； 所述复合缓冲层包括：氮氧化铝氮化铝层和氮氧化硅层， 所述氧化铝氧化硅复合PSS衬底中的氧化铝上由所述氮氧化铝氮化铝层覆盖，所述氧化铝氧化硅复合PSS衬底中的氧化硅上由所述氮氧化铝氮化铝层和氮氧化硅层交错间隔覆盖； 所述氮氧化铝氮化铝层中的氮氧化铝与所述氧化铝氧化硅复合PSS衬底连接，所述氮氧化铝氮化铝层中的氮化铝与LED结构层连接。
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