华灿光电(浙江)有限公司刘小星获国家专利权
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龙图腾网获悉华灿光电(浙江)有限公司申请的专利高亮发光二极管及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115458652B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-11发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210975513.9，技术领域涉及：H10H20/814；该发明授权高亮发光二极管及其制备方法是由刘小星;尹灵峰;高艳龙;陈沛然;马国强设计研发完成，并于2022-08-15向国家知识产权局提交的专利申请。
本高亮发光二极管及其制备方法在说明书摘要公布了：本公开提供了一种高亮发光二极管及其制备方法，该发光二极管包括：衬底、外延层、复合阻挡层、第一电极和第二电极；所述外延层包括依次层叠在所述衬底上的第一半导体层、多量子阱层和第二半导体层，所述外延层具有露出所述第一半导体层的凹槽；所述复合阻挡层位于所述第二半导体层的表面，所述复合阻挡层包括依次层叠的第一阻挡层和第二阻挡层，所述第一阻挡层的折射率高于所述第二阻挡层的折射率；所述第一电极位于所述凹槽内且与所述第一半导体层电性相连，所述第二电极位于所述复合阻挡层的表面，且与所述第二半导体层电性相连。本公开能减少电极对光线的吸收，提升发光二极管的亮度和发光效率。
本发明授权高亮发光二极管及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种发光二极管，其特征在于，所述发光二极管包括：衬底10、外延层20、复合阻挡层30和第二电极42； 所述复合阻挡层30位于所述外延层20的表面，所述复合阻挡层30包括依次层叠的一层第一阻挡层31和一层第二阻挡层32，所述第一阻挡层31的折射率高于所述第二阻挡层32的折射率； 所述第二电极42位于所述复合阻挡层30远离所述衬底10的表面，且与所述外延层20电性相连； 所述外延层20包括依次层叠在所述衬底10上的第一半导体层21、多量子阱层22和第二半导体层23，所述第二半导体层23远离所述衬底10的表面具有容纳槽25，所述复合阻挡层30位于所述容纳槽25内，所述第一阻挡层31位于所述容纳槽25的底面和所述容纳槽25的侧壁，所述第一阻挡层31隔开所述第二半导体层23和所述第二阻挡层32，所述容纳槽25的侧壁与所述容纳槽25的底面之间的夹角为钝角； 所述容纳槽25的槽深等于所述第一阻挡层31的厚度和所述第二阻挡层32的厚度之和。
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