中国人民解放军火箭军工程大学刘延飞获国家专利权
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龙图腾网获悉中国人民解放军火箭军工程大学申请的专利抗电离或位移协同辐射损伤效应的双极型晶体管优化方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115374621B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-11发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210959662.6，技术领域涉及：G06F30/20；该发明授权抗电离或位移协同辐射损伤效应的双极型晶体管优化方法是由刘延飞;彭征;李琪;王杰铃;杨晶晶;陕宇皓设计研发完成，并于2022-08-10向国家知识产权局提交的专利申请。
本抗电离或位移协同辐射损伤效应的双极型晶体管优化方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种抗电离或位移协同辐射损伤效应的双极型晶体管优化方法，涉及微电子技术领域，包括：构建辐射场模型；获取双极型晶体管受到电离损伤导致的电荷陷阱和位移损伤导致的载流子寿命变化；将双极型晶体管的电荷陷阱和载流子寿命变化导入TCAD仿真模型，分别得到电离损伤对双极型晶体管特性的影响、位移损伤对双极型晶体管特性的影响、以及电离损伤和位移损伤协同效应对双极型晶体管特性的影响；通过调整双极型晶体管的发射区周长与面积比、发射极结深、基区掺杂浓度和中性基区宽度参数，得到双极型晶体管特性的变化规律；进一步提出优化设计方案。本申请能够有效提高双极型晶体管的抗电离和位移损伤协同效应能力。
本发明授权抗电离或位移协同辐射损伤效应的双极型晶体管优化方法在权利要求书中公布了：1.一种抗电离或位移协同辐射损伤效应的双极型晶体管优化方法，其特征在于，包括： 构建辐射场模型，将双极型晶体管置于所述辐射场模型中；其中，辐射场为混合辐射场，所述辐射场包括γ射线总剂量和中子注量； 获取所述双极型晶体管受到电离损伤导致的电荷陷阱和位移损伤导致的载流子寿命变化；其中，所述γ射线的辐射使所述双极型晶体管受到电离损伤，所述中子的辐射使所述双极型晶体管受到位移损伤； 将所述双极型晶体管的电荷陷阱和载流子寿命变化导入TCAD仿真模型，分别得到电离损伤对所述双极型晶体管特性的影响、位移损伤对所述双极型晶体管特性的影响、以及电离损伤和位移损伤协同效应对所述双极型晶体管特性的影响； 通过调整所述双极型晶体管的发射区周长与面积比、发射极结深、基区掺杂浓度和中性基区宽度参数，得到电离损伤和位移损伤协同效应下，所述双极型晶体管特性的变化规律； 基于所述双极型晶体管特性的变化规律，提出优化设计方案。
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