深圳市华星光电半导体显示技术有限公司胡小波获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网获悉深圳市华星光电半导体显示技术有限公司申请的专利微发光二极管的分散转移方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115312634B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-11发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210882550.5，技术领域涉及：H10H29/03；该发明授权微发光二极管的分散转移方法是由胡小波设计研发完成，并于2022-07-26向国家知识产权局提交的专利申请。
本微发光二极管的分散转移方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种微发光二极管的分散转移方法，分散转移方法包括：提供衬底基板，并在衬底基板上制备阵列排布且具有预定间隔的微发光二极管；在衬底基板背离微发光二极管的一侧制备阵列排布且具有目标间隔的第一吸收部；第一吸收部对应于所述微发光二极管设置，目标间隔为预定间隔的整数倍，且整数倍大于等于2；采用激光镭射工艺，使激光从第一吸收部侧照射衬底基板和微发光二极管，将部分的微发光二极管转移至中间基板；移动衬底基板，并再次用激光从第一吸收部侧照射衬底基板和微发光二极管，重复直至全部的微发光二极管转移至中间基板的目标位置；将中间基板上的微发光二极管转移至目标基板。
本发明授权微发光二极管的分散转移方法在权利要求书中公布了：1.一种微发光二极管的分散转移方法，其特征在于，包括： 提供衬底基板，并在所述衬底基板上制备阵列排布且具有预定间隔的微发光二极管； 在所述衬底基板背离所述微发光二极管的一侧制备阵列排布且具有目标间隔的第一吸收部；所述第一吸收部对应于所述微发光二极管设置，所述目标间隔为所述预定间隔的整数倍，且所述整数倍大于等于2； 采用激光镭射工艺，使激光从所述第一吸收部侧照射所述衬底基板和所述微发光二极管，将未被所述第一吸收部覆盖遮挡的所述微发光二极管转移至中间基板； 移动所述衬底基板，并再次用激光从所述第一吸收部侧照射所述衬底基板和所述微发光二极管，重复直至全部的被所述第一吸收部覆盖遮挡的所述微发光二极管转移至所述中间基板的目标位置； 将所述中间基板上的所述微发光二极管转移至目标基板。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人深圳市华星光电半导体显示技术有限公司，其通讯地址为：518132 广东省深圳市光明新区公明街道塘明大道9-2号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号