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龙图腾网获悉中国电子技术标准化研究院申请的专利一种BGA/LGA器件背面EMMI失效分析方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115902597B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-11发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210869391.5，技术领域涉及：G01R31/307；该发明授权一种BGA/LGA器件背面EMMI失效分析方法是由高立;杨迪;李旭;周钦沅;吕贤亮;贺峤;刘晨设计研发完成，并于2022-07-21向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种BGA/LGA器件背面EMMI失效分析方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种BGALGA器件背面EMMI失效分析方法，本方法对利用研磨技术得到的BGALGA器件基板版图进行分析和采用X射线技术，确定绑定线和器件焊球的一一对应关系，为器件背面EMMI提供准确的电性连接，实现BGALGA器件背面EMMI分析。在进行集成电路背面EMMI时，首先要实现正确地电性连接，因IO端口众多且绑定线先通过基板重新布线，再和外部焊点相连。本发明能够快速、简便地获得BGALGA器件绑定线和外部焊点的一一对应关系，从而给BGALGA器件路背面EMMI提供准确的电性连接，实现BGALGA器件的背面EMMI失效分析，扩大集成电路背面EMMI失效分析的适用性，减少集成电路背面EMMI的局限性。

本发明授权一种BGA/LGA器件背面EMMI失效分析方法在权利要求书中公布了：1.一种BGALGA器件背面EMMI失效分析方法，其特征在于，该方法包括以下步骤： 第一步对BGALGA器件进行伏安特性测试，得到失效管脚的伏安特性曲线，并确定外部焊点中的失效管脚的位置； 第二步，将失效的BGALGA器件的外部焊点磨去，露出焊盘及通孔，根据BGALGA器件的数据手册，确定失效管脚的焊盘及通孔位置，并对该层版图进行拍照； 第三步，对BGALGA器件的失效管脚的基板进行研磨，露出覆铜层，并确定失效管脚通孔在覆铜层位置； 第四步，重复第三步的基板研磨，进行逐层研磨直至露出基板上最后一层的金属布线，并确认失效管脚通孔所在位置； 第五步，对失效管脚通孔所在的金属布线进行伏安曲线测试获得伏安曲线，并与第一步获得的伏安特性曲线进行对比确认； 第六步，对BGALGA器件进行X光拍照，确定和失效管脚通孔相连的金属布线所连接的绑定线位置，并记录该位置； 第七步，将最后一层金属布线研磨去掉，露出硅片衬底和绑定线头，找到第六步所记录的绑定线位置； 第八步，将探针扎到失效管脚的绑定线头端和电源或地端，实现正确加电； 第九步，进行背面EMMI；通过背面EMMI实现绑定线和外部焊点的一一对应，从而给集成电路背面EMMI提供准确的电性连接，实现集成电路的背面EMMI失效分析； 第五步中，第五步的伏安曲线与第一步获得的伏安特性曲线相同或相近则进行第六步；若不相同则有两种可能：一）失效管脚定位有误，则需对比第二步至第五步得到的基板版图，重新确认失效管脚位置；二）失效位置位于基板而不在芯片。

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