友达光电股份有限公司陈衍豪获国家专利权
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龙图腾网获悉友达光电股份有限公司申请的专利反相器以及像素电路获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115064116B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-11发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210826223.8，技术领域涉及：G09G3/32；该发明授权反相器以及像素电路是由陈衍豪;江家维;范扬顺设计研发完成，并于2022-07-13向国家知识产权局提交的专利申请。
本反相器以及像素电路在说明书摘要公布了：本发明公开一种反相器以及像素电路，其中该反相器包括二极管以及开关薄膜晶体管。二极管包括第一半导体沟道结构、第一电极、第二电极以及第三电极。第一电极重叠且分离于第一半导体沟道结构的第一沟道区。第二电极以及第三电极分别电连接第一半导体沟道结构。第二电极电连接至第一电极。开关薄膜晶体管包括第二半导体沟道结构、栅极、漏极以及源极。栅极重叠且分离于第二半导体沟道结构的第二沟道区。第一沟道区的载流子迁移率大于第二沟道区的载流子迁移率。漏极电连接至二极管的第三电极。
本发明授权反相器以及像素电路在权利要求书中公布了：1.一种像素电路，包括： 开关元件，电连接至扫描线以及数据线，该开关元件的栅极通过扫描线而电连接至扫描线电压Vscan，该开关元件的漏极通过数据线而电连接至数据线电压Vdata； 反相器，包括： 用作二极管的晶体管，电连接至电压VDD1，该用作二极管的晶体管具有输出电压Vout；以及 开关薄膜晶体管，电连接至该用作二极管的晶体管，该开关薄膜晶体管的源极电连接于接地电压GND，该开关元件的源极提供输入电压Vin施加于该开关薄膜晶体管的栅极以控制该开关薄膜晶体管的开启或关闭，其中该用作二极管的晶体管的第一半导体沟道结构的第一沟道区的载流子迁移率大于该开关薄膜晶体管的第二半导体沟道结构的第二沟道区的载流子迁移率； 第一驱动晶体管，该第一驱动晶体管的第一栅极电连接该开关元件的源极以及该开关薄膜晶体管的栅极； 第二驱动晶体管，该第二驱动晶体管的第二栅极通过该反相器而电连接该开关元件的源极，该第一驱动晶体管的漏极与该第二驱动晶体管的漏极彼此电连接并电连接至电压VDD2；以及 发光二极管，电连接该第一驱动晶体管的源极以及该第二驱动晶体管的源极。
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