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龙图腾网获悉上海功成半导体科技有限公司申请的专利一种屏蔽栅沟槽MOSFET结构及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115172169B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-11发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210846603.8，技术领域涉及：H10D30/01；该发明授权一种屏蔽栅沟槽MOSFET结构及其制备方法是由高学;罗杰馨;柴展;王贺设计研发完成，并于2022-07-05向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种屏蔽栅沟槽MOSFET结构及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种屏蔽栅沟槽MOSFET结构及其制备方法，该屏蔽栅沟槽MOSFET结构包括半导体层、第一沟槽、介电层、屏蔽栅层、第二沟槽、第三沟槽、栅介质层、栅导电层、屏蔽栅极接触孔及栅极接触孔，其中，第一沟槽位于半导体层中，包括第一端部区、栅极引出区及第二端部区；介电层及屏蔽栅层位于第一沟槽中，第二沟槽位于栅极引出区中且开口向上；第三沟槽位于第一端部区与第二端部区之间的介电层的上方并与第二沟槽连通；栅介质层及栅导电层位于第二沟槽和第三沟槽中；屏蔽栅极接触孔与栅极接触孔的底部分别延伸至屏蔽栅层及栅导电层中。本发明通过于栅极引出区形成与第三沟槽连通的第二沟槽，使栅导电层中有足够的空间形成栅极接触孔。

本发明授权一种屏蔽栅沟槽MOSFET结构及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种屏蔽栅沟槽MOSFET结构的制备方法，其特征在于，包括以下步骤： 提供一半导体层，并于所述半导体层中形成多个沿X方向间隔排列的第一沟槽，且所述第一沟槽的开口向上并沿Y方向延伸，所述X方向与所述Y方向相互垂直； 于所述第一沟槽中依次形成介电材料层及导电材料层，所述介电材料层位于所述第一沟槽的内壁与底面并包裹所述导电材料层的侧壁与底面； 在所述第一沟槽中定义沿Y方向依次设置的第一端部区、栅极引出区及第二端部区，在所述栅极引出区的预设区域形成第二沟槽，所述第二沟槽自所述导电材料层的顶部开口，并向下延伸，所述第一沟槽内位于所述第二沟槽以外的所述导电材料层构成屏蔽栅层； 刻蚀位于所述第一端部区与所述第二端部区之间的所述介电材料层，以得到沿X方向位于所述屏蔽栅层两侧及所述第二沟槽两侧的第三沟槽，所述第三沟槽与所述第二沟槽在X方向上连通，且所述第一沟槽内位于所述第三沟槽以外的所述介电材料层构成介电层； 于所述第三沟槽内及所述第二沟槽内依次形成栅介质层及栅导电层，且所述栅介质层位于所述第二沟槽与所述第三沟槽的内壁及底面，所述栅介质层包裹所述栅导电层的侧壁及底面； 形成底部延伸至所述屏蔽栅层的屏蔽栅极接触孔，在所述第二沟槽中形成底部延伸至所述栅导电层中的栅极接触孔。

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