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龙图腾网获悉杭州电子科技大学富阳电子信息研究院有限公司;杭州电子科技大学申请的专利一种双T型MIM电容等效电路模型及其参数提取方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114997086B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-11发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210759231.5，技术领域涉及：G06F30/331；该发明授权一种双T型MIM电容等效电路模型及其参数提取方法是由董志华;吴凯伦;李建;仇先浩;程知群设计研发完成，并于2022-06-29向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种双T型MIM电容等效电路模型及其参数提取方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种双T型MIM电容等效电路模型及其参数提取方法，等效电路模型中有效电容的第一端与串联电感一的第二端电连接，第二端与低频寄生电阻的第一端电连接，低频寄生电阻的第二端与高频寄生电感的第一端电连接，高频寄生电感的第二端与串联电感二的第一端电连接，高频寄生电阻与高频寄生电感并联；介质电容一的第一端与串联电感一的第二端电连接，第二端与衬底寄生电容一的第一端电连接，衬底寄生电阻一与衬底寄生电容一并联。本发明的双T型等效电路模型可拟合更宽频率范围的MIM电容。

本发明授权一种双T型MIM电容等效电路模型及其参数提取方法在权利要求书中公布了：1.一种双T型MIM电容等效电路模型的参数提取方法，其特征在于，包括以下步骤： S301，建立预设尺寸的MIM电容模型； S302，电磁仿真获取MIM电容的S参数； S303，建立双T型MIM电容等效电路模型； S304，根据MIM电容的S参数以及计算公式计算所述等效电路模型中各个元器件的参数值，其中，所述元器件包括有效电容、低频寄生电阻、高频寄生电感、高频寄生电阻、串联电感一、串联电感二、介质电容一、介质电容二、衬底寄生电阻一、衬底寄生电阻二、衬底寄生电容一和衬底寄生电容二； 所述S304，根据MIM电容的S参数以及计算公式计算所述等效电路模型中各个元器件的参数值，包括以下步骤： S401，将MIM电容的S参数转化为Z参数； S402，将双T型MIM电容等效电路模型划分为第一模块、第二模块、第三模块、第四模块、第五模块以及第六模块，其中，所述第一模块为所述串联电感一；所述第二模块为所述有效电容和所述低频寄生电阻组成的结构；所述第三模块为所述介质电容一、所述衬底寄生电阻一和所述衬底寄生电容一组成的结构；所述第四模块为所述高频寄生电感和所述高频寄生电阻组成的结构；所述第五模块为所述串联电感二；所述第六模块为所述介质电容二、所述衬底寄生电阻二和所述衬底寄生电容二组成的结构； S403，将六个模块划分为partI、partII，所述partI由所述第一模块、所述第二模块和所述第三模块组成，所述partII由所述第四模块、所述第五模块和所述第六模块组成； S404，根据所述Z参数计算所述partI的Z参数以及所述partII的Z参数； S405，根据所述partI的Z参数、所述partII的Z参数以及所述计算公式计算各元器件的参数； 所述S304，根据MIM电容的S参数以及计算公式计算所述等效电路模型中各个元器件的参数值，具体为将双T型MIM电容等效电路模型划分为第一模块、第二模块、第三模块、第四模块、第五模块和第六模块，第一模块、第二模块和第三模块组成partI，第四模块、第五模块和第六模块组成partII，partI和partII均为T型网络，根据T型网络的Z参数计算公式，得到等效电路模型中各个元器件的参数值；将S参数根据参数转换公式转换为Z参数，得到Z参数之后，根据 计算出A1、B1、C1、A2、B2和C2，其中Z表示等效电路模型的Z参数，A1为第一模块的Z参数，B1为第二模块的Z参数，C1为第三模块的Z参数，A2为第四模块的Z参数，B2为第五模块的Z参数，C2为第六模块的Z参数。

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