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龙图腾网获悉长鑫存储技术有限公司申请的专利半导体结构及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116133392B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-11发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111045528.7，技术领域涉及：H10B12/00；该发明授权半导体结构及其制备方法是由张俊逸;李新;应战设计研发完成，并于2021-09-07向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体结构及其制备方法在说明书摘要公布了：本申请公开了一种半导体结构及其制备方法,属于半导体技术领域,其中，半导体结构的制备方法，包括：提供衬底；于衬底形成沟槽；于沟槽内形成位线；利用外延生长工艺填充沟槽并在衬底表面沉积形成第一有源区，第一有源区包覆位线；图形化刻蚀第一有源区形成柱状导电通道；在导电通道周围形成栅极。该方法制备得到的半导体结构第一源区就可以包绕在位线的周围，增大了第一有源区与位线的接触面积，减小了第一有源区与位线之间的接触电阻，进而提高电荷传输速度，保证了信号传输性能。

本发明授权半导体结构及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构的制备方法，其特征在于， 包括： 提供衬底，所述衬底上形成有纵横交错的隔绝层； 于所述衬底形成沟槽，所述沟槽穿越所述隔绝层； 于所述沟槽内形成位线； 利用外延生长工艺填充所述沟槽并在衬底表面沉积形成第一有源区，所述第一有源区包覆所述位线； 图形化刻蚀所述第一有源区形成柱状导电通道； 在所述导电通道周围形成栅极； 所述于所述沟槽内形成位线，包括： 利用沉积工艺于所述沟槽内依次沉积位线金属层及第一牺牲层，得到充满所述沟槽的第一填充结构； 刻蚀去除所述第一填充结构靠近所述沟槽侧壁的区域，以使所述第一填充结构与所述沟槽侧壁之间留有间隙； 刻蚀去除所述第一牺牲层，得到所述位线； 在所述利用沉积工艺于所述沟槽内依次沉积位线金属层及第一牺牲层，得到充满所述沟槽的第一填充结构之前，所述于所述沟槽内形成位线，还包括： 于所述沟槽内沉积形成第二牺牲层； 在所述刻蚀去除所述第一填充结构靠近所述沟槽侧壁的区域，以使所述第一填充结构与所述沟槽侧壁之间留有间隙之后，所述半导体结构的制备方法还包括： 刻蚀去除部分所述第二牺牲层，所述第二牺牲层的剩余部分用以支撑所述位线金属层。

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