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龙图腾网获悉意法半导体股份有限公司申请的专利用于制造微机电设备的工艺和MEMS设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113697766B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-11发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110545660.8，技术领域涉及：B81C1/00；该发明授权用于制造微机电设备的工艺和MEMS设备是由G·阿勒加托;L·科索;I·格尔米;C·瓦尔扎希纳设计研发完成，并于2021-05-19向国家知识产权局提交的专利申请。

本用于制造微机电设备的工艺和MEMS设备在说明书摘要公布了：本公开的实施例涉及用于制造微机电设备的工艺和MEMS设备。一种用于制造MEMS设备的工艺包括在衬底上形成第一厚度的第一结构层。第一沟槽通过所述第一结构层形成，并且通过第一开口隔开的掩模区域在所述第一结构层上被形成。第二厚度的第二结构层在所述第一开口处与所述第一结构层直接接触的所述第一结构层上被形成，并且第二结构层与所述第一结构层一起形成第三厚度的厚结构区域，第三厚度等于所述第一厚度和所述第二厚度的所述总和。多个第二沟槽通过所述第二结构层在所述掩模区域上方被形成，并且第三沟槽通过去除所述厚结构区域的选择性部分通过所述第一结构层和所述第二结构层形成。

本发明授权用于制造微机电设备的工艺和MEMS设备在权利要求书中公布了：1.一种用于制造MEMS设备的工艺，包括： 在衬底上形成半导体材料的第一结构层，所述第一结构层具有第一厚度； 形成延伸通过所述第一结构层并且限定第一功能元件的多个第一沟槽； 在所述第一结构层上形成掩模区域，所述掩模区域通过第一开口被彼此隔开； 在所述第一结构层和所述掩模区域上形成半导体材料的第二结构层，所述第二结构层具有第二厚度，所述第二结构层在所述第一开口处与所述第一结构层直接接触，并且所述第二结构层与所述第一结构层一起形成所述半导体材料的具有第三厚度的厚结构区域，所述第三厚度等于所述第一厚度和所述第二厚度的总和； 在所述掩模区域上方形成延伸通过所述第二结构层的多个第二沟槽；以及 通过去除所述厚结构区域的选择性部分，来形成延伸通过所述第一结构层和所述第二结构层的多个第三沟槽； 其中所述工艺还包括： 在所述第一结构层与所述第二结构层之间形成多个第一间隙区；以及 形成垂直停止结构，包括在所述第一结构层中形成底部邻接区域以及在所述第二结构层中形成上部邻接区域，所述底部邻接区域具有所述第一厚度，并且至少部分地由属于所述多个第一沟槽的第一沟槽、或者由属于所述多个第三沟槽的邻接沟槽的下部界定，并且所述上部邻接区域覆盖所述底部邻接区域、并且通过所述多个第一间隙区中的第一间隙区与所述底部邻接区域隔开。

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