芯恩(青岛)集成电路有限公司张文娅获国家专利权
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龙图腾网获悉芯恩(青岛)集成电路有限公司申请的专利一种阱离子注入方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114695093B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-11发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011589507.7，技术领域涉及：H01L21/266；该发明授权一种阱离子注入方法是由张文娅;徐怀花;刘聪慧;季明华设计研发完成，并于2020-12-29向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种阱离子注入方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种阱离子注入方法，包括如下步骤：提供半导体衬底；在所述半导体衬底上形成底部抗反射层；在所述底部抗反射层上涂敷光刻胶；在所述光刻胶上形成顶部抗反射层；图形化所述顶部抗反射层和所述光刻胶，形成具有注入窗口的掩膜；对所述掩膜进行等离子体处理，增加所述注入窗口侧壁的粗糙度，并使所述注入窗口的侧壁向外倾斜；经由所述注入窗口进行离子注入，在所述半导体衬底中形成阱区。本发明在阱离子注入前采用等离子体处理掩膜，使注入窗口的侧壁粗糙、硬化并呈现倾斜的形状，从而使侧壁处注入的离子不易落入半导体衬底中，可减少散射离子进入半导体阱区的边缘，从而有效抑制阱邻近效应，提高阱区掺杂的均匀性。
本发明授权一种阱离子注入方法在权利要求书中公布了：1.一种阱离子注入方法，其特征在于，包括如下步骤： 提供半导体衬底； 在所述半导体衬底上形成底部抗反射层； 在所述底部抗反射层上涂敷光刻胶； 在所述光刻胶上形成顶部抗反射层； 图形化所述顶部抗反射层和所述光刻胶，形成具有注入窗口的掩膜； 对所述掩膜进行等离子体处理，增加所述注入窗口侧壁的粗糙度，并使所述注入窗口的侧壁向外倾斜，从而使侧壁处注入的离子不易落入所述半导体衬底中，抑制阱邻近效应； 经由所述注入窗口进行离子注入，在所述半导体衬底中形成阱区。
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