欧司朗光电半导体有限公司亚历山大·普福伊费尔获国家专利权
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龙图腾网获悉欧司朗光电半导体有限公司申请的专利器件复合件，将器件从器件复合件分离的方法和制造器件复合件的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114556541B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-11发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202080070359.X，技术领域涉及：H01L21/683；该发明授权器件复合件，将器件从器件复合件分离的方法和制造器件复合件的方法是由亚历山大·普福伊费尔;科比尼安·佩尔茨尔迈尔设计研发完成，并于2020-10-05向国家知识产权局提交的专利申请。
本器件复合件，将器件从器件复合件分离的方法和制造器件复合件的方法在说明书摘要公布了：提出一种器件复合件1，其具有多个器件2和承载件5，其中器件借助于连接层4固定在承载件上并且连接层为每个器件形成至少一个支承结构41，连接层在所述支承结构上邻接于器件。局部地在器件和连接层之间设置有牺牲层3。器件的一部分归入第一组2A并且器件的另一部分归入第二组2B，其中第一组的器件与第二组的器件在用牺牲层占据方面是不同的。此外，提出一种用于将器件从器件复合件中分离的方法和一种用于制造器件复合件的方法。
本发明授权器件复合件，将器件从器件复合件分离的方法和制造器件复合件的方法在权利要求书中公布了：1.一种器件复合件，具有多个器件和承载件，其中 -所述器件借助于连接层固定在所述承载件上； -所述连接层为每个器件形成至少一个支承结构，在所述支承结构处，所述连接层邻接于所述器件； -局部地在所述器件和所述连接层之间设置有牺牲层； -所述器件的一部分归入第一组； -所述器件的另一部分归入第二组；并且 -所述牺牲层对于所述第一组的器件与对于所述第二组的器件不同地构成。
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