三星电子株式会社刘承勇获国家专利权
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龙图腾网获悉三星电子株式会社申请的专利半导体装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112563242B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-11发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010776850.6，技术领域涉及：H01L23/528；该发明授权半导体装置是由刘承勇;李钟振;金洛焕;郑恩志;洪元赫设计研发完成，并于2020-08-05向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体装置在说明书摘要公布了：提供了半导体装置。所述半导体装置包括设置在基底上并具有第一沟槽的第一层间绝缘膜。第一下导电图案填充第一沟槽并且包括在与基底的上表面平行的第一方向上彼此间隔开的第一谷区域和第二谷区域。第一谷区域和第二谷区域朝向基底凹陷。第二层间绝缘膜设置在第一层间绝缘膜上并且包括暴露第一下导电图案的至少一部分的第二沟槽。上导电图案填充第二沟槽并且包括上阻挡膜和设置在上阻挡膜上的上填充膜。上导电图案至少部分地填充第一谷区域。
本发明授权半导体装置在权利要求书中公布了：1.一种半导体装置，所述半导体装置包括： 第一层间绝缘膜，设置在基底上并且包括第一沟槽； 第一下导电图案，填充第一沟槽并且包括在与基底的上表面平行的第一方向上彼此间隔开的第一谷区域和第二谷区域，第一谷区域和第二谷区域朝向基底凹陷； 第二层间绝缘膜，设置在第一层间绝缘膜上并且包括暴露第一下导电图案的至少一部分的第二沟槽；以及 上导电图案，填充第二沟槽并且包括上阻挡膜和设置在上阻挡膜上的上填充膜， 其中，上导电图案至少部分地填充第一谷区域， 其中，第一下导电图案包括下阻挡膜和设置在下阻挡膜上的下填充膜，并且 第一谷区域和第二谷区域由下填充膜的上表面及下阻挡膜的侧壁部分的内表面的未被下填充膜覆盖的部分限定， 其中，上阻挡膜沿着第二沟槽的侧壁延伸，并且覆盖下阻挡膜的侧壁部分的内表面的未被下填充膜覆盖的部分和下阻挡膜的顶表面。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人三星电子株式会社，其通讯地址为：韩国京畿道水原市；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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