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龙图腾网获悉三星电子株式会社申请的专利包括过孔和布线的半导体器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112349680B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-11发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010766570.7，技术领域涉及：H01L23/522；该发明授权包括过孔和布线的半导体器件是由李美知;郑泰荣;赵润庆;裴相友;李化成设计研发完成，并于2020-08-03向国家知识产权局提交的专利申请。

本包括过孔和布线的半导体器件在说明书摘要公布了：提供了一种半导体器件。所述半导体器件包括下布线、在下布线上的上布线以及在下布线与上布线之间的过孔。下布线具有彼此相对的第一端表面和第二端表面，上布线具有彼此相对的第三端表面和第四端表面，并且过孔具有与下布线的第二端表面相邻的第一侧面和与上布线的第三端表面相邻的第二侧面。过孔的第一侧面的下端与下布线的第二端表面的上端之间的距离小于过孔的顶表面的宽度的13，并且过孔的第二侧面的上端与上布线的第三端表面的上端之间的距离小于过孔的顶表面的宽度的13。

本发明授权包括过孔和布线的半导体器件在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件，所述半导体器件包括： 下结构； 第一结构，在所述下结构上；以及 第二结构，在所述第一结构上， 其中，所述下结构包括：源漏区和栅电极，在半导体基底上；绝缘层，在所述源漏区和所述栅电极上；以及接触插塞，电连接到所述源漏区和所述栅电极中的一者，同时穿透所述绝缘层， 其中，第一结构包括：第一过孔，电连接到所述接触插塞；第一布线，电连接到所述第一过孔；以及第一绝缘结构，界定所述第一过孔的侧面和所述第一布线的侧面， 其中，所述第一绝缘结构包括：第一下蚀刻停止层；第一下绝缘层，在所述第一下蚀刻停止层上；第一上蚀刻停止层，在所述第一下绝缘层上；以及第一上绝缘层，在所述第一上蚀刻停止层上， 其中，所述第一下蚀刻停止层和所述第一下绝缘层界定所述第一过孔的所述侧面， 其中，所述第一上蚀刻停止层和所述第一上绝缘层界定所述第一布线的所述侧面， 其中，所述第一布线具有彼此相对的第一端表面和第二端表面， 其中，所述第一过孔的所述侧面包括与所述第一布线的所述第一端表面相邻的第一侧面和与所述第一侧面相对的第二侧面， 其中，所述第二结构包括：第二过孔；第二布线，设置在所述第二过孔上并电连接到所述第二过孔；以及第二绝缘结构，界定所述第二过孔的侧面和所述第二布线的侧面， 其中，所述第二绝缘结构包括第二蚀刻停止层和在所述第二蚀刻停止层上的第二绝缘层， 其中，所述第二绝缘层界定所述第二布线的所述侧面并延伸到所述第二过孔的所述侧面上， 其中，所述第二布线具有彼此相对的第三端表面和第四端表面， 其中，所述第二布线的所述第三端表面比所述第二布线的所述第四端表面靠近所述第二过孔， 其中，所述第二过孔的所述侧面包括与所述第一布线的所述第二端表面相邻的第三侧面和与所述第二布线的所述第三端表面相邻的第四侧面，并且 其中，所述第一过孔的所述第一侧面的上端与所述第一布线的所述第一端表面的下端之间的距离小于所述第二布线的所述第三端表面的下端与所述第二过孔的所述第四侧面的上端之间的距离。

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