亿而得微电子股份有限公司吴政颖获国家专利权
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龙图腾网获悉亿而得微电子股份有限公司申请的专利低电压反熔丝元件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113224062B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-11发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010086112.9，技术领域涉及：H10B20/25；该发明授权低电压反熔丝元件是由吴政颖;黄郁婷;黄文谦设计研发完成，并于2020-02-11向国家知识产权局提交的专利申请。
本低电压反熔丝元件在说明书摘要公布了：本发明公开了一种低电压反熔丝元件，其在基底上依序设有第一闸极介电层和第一闸极，并于第一闸极一侧的基底内形成有第一离子掺杂区，其中第一闸极包括本体部与从本体部一侧延伸渐缩的尖角部，且本体部和尖角部皆邻接于第一闸极介电层上；进行操作时，利用电荷于尖角处的密度较高的原理，当写入电压被施加于第一闸极及第一离子掺杂区之间时，使得尖角部下方的第一闸极介电层的一部分易于击穿，以此降低击穿电压，达成降低电流消耗的目的，同时可减少闸极面积，缩小元件尺寸，从而降低生产成本。
本发明授权低电压反熔丝元件在权利要求书中公布了：1.一种低电压反熔丝元件，其特征在于，包含： 一基底； 一第一闸极介电层，设置在该基底上； 一第一闸极，包含一本体部及自该本体部一侧延伸渐缩形成的一尖角部，该本体部及该尖角部邻接于该第一闸极介电层上，该第一闸极连接至字线；以及 一第一离子掺杂区，设置在该第一闸极介电层一侧的该基底中，该第一离子掺杂区连接至位元线； 其中，该尖角部仅形成于该本体部朝向该第一离子掺杂区的一侧； 其中，该基底、该第一闸极介电层、该第一闸极及该第一离子掺杂区形成电容结构，当该电容在写入操作时，通过该字线施加一写入电压于该第一闸极，通过该位元线施加一位元线电压于该第一离子掺杂区，而于该第一闸极及该第一离子掺杂区之间产生一电场，该电场集中于该尖角部，使得该尖角部下方的该第一闸极介电层的一部分易于击穿。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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