瑞萨电子株式会社桥本千惠美获国家专利权
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龙图腾网获悉瑞萨电子株式会社申请的专利半导体器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN110875276B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-11发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201910654902.X，技术领域涉及：H01L23/522；该发明授权半导体器件是由桥本千惠美;矢山浩辅;松崎智一设计研发完成，并于2019-07-19向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体器件在说明书摘要公布了：本公开的实施例涉及半导体器件。在模塑封装过程结束后，多晶硅电阻具有大电阻变化率。为了实现高精度微调，期望实现几乎不受通过模塑封装过程在衬底中生成的应力和温度波动影响的电阻。电阻元件形成在多个布线层中，并且具有形成在第一布线层中的第一导电层、形成在第二布线层中的第二导电层、以及连接第一导电层和第二导电层的层间导电层的重复图案，并且层间导电层由多种材料形成。
本发明授权半导体器件在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件，包括： 半导体衬底；以及 多个布线层，在垂直于所述半导体衬底的表面的方向上形成在所述半导体衬底之上，并且至少包括第一布线层和在所述第一布线层上方的第二布线层， 其中在所述多个布线层中形成电阻元件， 其中所述电阻元件包括以下的重复图案：形成在所述第一布线层中的第一导电层、形成在所述第二布线层中的第二导电层、以及沿所述方向延伸的将所述第一导电层和所述第二导电层连接在一起的层间导电层，以及 其中所述层间导电层包括多个接合焊盘以及位于所述多个接合焊盘之间、并将所述多个接合焊盘电连接的多个过孔，所述多个过孔由多种材料形成，并且所述多种材料包括正温度系数材料和负温度系数材料中的至少一种。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人瑞萨电子株式会社，其通讯地址为：日本东京都；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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